Samsung se centra en rediseñar el proceso DRAM 1c para lograr tasas de rendimiento mejoradas y el desarrollo futuro de HBM4

Según se informa, Samsung se está embarcando en un rediseño de su DRAM 1c de sexta generación con el objetivo de mejorar las tasas de rendimiento y establecer una ventaja competitiva en su próximo proceso HBM4.

Renovación de la memoria DRAM 1c: una estrategia para el éxito de la HBM4 de Samsung

El líder tecnológico surcoreano está evaluando actualmente el diseño de su proceso DRAM 1c, fundamental para el éxito previsto del proceso HBM4. Información reciente de ZDNet Korea revela que, desde la segunda mitad de 2024, Samsung ha estado reimaginando sus tecnologías DRAM avanzadas. El rediseño tiene como objetivo facilitar una integración más fluida en el mercado para sus próximas soluciones de memoria, en particular a la luz de los desafíos de adopción que enfrentan los derivados HBM3, que encontraron obstáculos importantes con empresas como NVIDIA.

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Los esfuerzos de rediseño surgen de las preocupaciones sobre las tasas de rendimiento asociadas con el vanguardista proceso DRAM de Samsung, que no han alcanzado los objetivos previstos. Se estima que estas tasas de rendimiento rondan el 60%-70%, lo que dificulta la transición de la empresa a la producción en masa. El principal desafío radica en las dimensiones del chip DRAM 1c. A pesar del objetivo inicial de reducir el tamaño del chip para aumentar el volumen de producción, el enfoque de Samsung afectó inadvertidamente a la estabilidad del proceso, lo que llevó a menores tasas de rendimiento.

Samsung Electronics ha cambiado el diseño de su memoria DRAM 1c para aumentar el tamaño de sus chips y se está centrando en mejorar el rendimiento, con miras a mediados de este año. Parece que están centrados en la producción en masa estable de memoria de próxima generación, aunque cueste más.

– ZDNet Corea

La eficacia del proceso de memoria DRAM 1c de Samsung es clave para la calidad y el éxito de sus próximos productos HBM4. Dada la reputación poco favorable de la empresa tras las complicaciones con HBM3, es esencial que Samsung ajuste sus resultados de memoria DRAM 1c a los estándares establecidos de la industria.

Aunque persiste la incertidumbre sobre los resultados finales de los esfuerzos de Samsung por desarrollar la memoria DRAM de sexta generación, las proyecciones sugieren que podrían surgir avances en los próximos meses. Si tienen éxito, estos avances podrían allanar el camino para que la HBM4 de Samsung entre en producción en masa a fines de este año.

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