Samsung Electronics pretende ingresar al mercado emergente de DRAM 3D mostrando tecnologías de vanguardia que impulsarán el progreso del mercado en el futuro.
Samsung lidera el camino en tecnología 3D DRAM y lanzará soluciones a finales de la década
A pesar de un período de relativa calma en la industria DRAM, las empresas todavía enfrentaban los desafíos de una situación financiera difícil debido al alto inventario y la baja demanda de los consumidores en los últimos trimestres.
Ahora que la situación ha mejorado, los esfuerzos se han orientado hacia la I+D de próxima generación. Samsung ha anunciado su propia implementación de DRAM 3D, que se espera que esté implementada durante el próximo año.
Después de examinar las diapositivas de la presentación, es evidente que la industria DRAM está haciendo una transición hacia líneas de compresión inferiores a 10 nm. Para superar el estancamiento en el desarrollo de tecnologías DRAM avanzadas, Samsung tiene la intención de implementar dos técnicas novedosas, transistores de canal vertical y DRAM apilada, que implican variaciones en la ubicación de los componentes. Estos métodos innovadores conducen en última instancia a un uso reducido del área del dispositivo y, en consecuencia, a un rendimiento mejorado.
De manera similar, Samsung tiene la intención de mejorar las capacidades de memoria utilizando el concepto de DRAM apilada. Este enfoque permite a la empresa lograr una mayor relación almacenamiento-área, lo que podría aumentar la capacidad del chip a 100 GB en el futuro. Se proyecta que el mercado de DRAM 3D podría alcanzar los 100 mil millones de dólares para 2028. Los primeros desarrollos de Samsung sugieren que la compañía coreana podría tomar la delantera en la industria de DRAM en el futuro, aunque todavía es demasiado pronto para hacer tal predicción.
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