Rapidus de Japón compite con TSMC en la tecnología de vanguardia de chips de nodo GAA de 2 nm

La competencia en la industria de semiconductores se está intensificando, especialmente en el segmento de nodos de 2 nm. La japonesa Rapidus ha presentado un avance significativo que la posiciona entre líderes del sector como TSMC y Samsung.

Rapidus avanza en la producción de 2 nm con tecnología innovadora

Históricamente, TSMC ha dominado el panorama de la fabricación de chips, seguida de cerca por Samsung e Intel. Sin embargo, Rapidus está a punto de entrar en el mercado de los 2 nm, mostrando avances formidables. En un anuncio reciente, la compañía reveló que ha creado con éxito un prototipo de chip de 2 nm con tecnología Gate-All-Around (GAA) en su fundición IIM-1. Este logro posiciona a Rapidus como pionera en la producción en masa de tecnología GAA en este tamaño de nodo, con expectativas de comenzar la producción a gran escala para 2027.

Para optimizar la eficiencia de la producción, Rapidus ha implementado una estrategia de procesamiento de «oblea única» durante las fases iniciales de fabricación. Este enfoque permite ajustes y mejoras en tiempo real, lo que permite a Rapidus aprovechar las capacidades de la inteligencia artificial para obtener retroalimentación de la producción. Al refinar los procesos y aumentar los índices de rendimiento, Rapidus es uno de los primeros en adoptar estos métodos de vanguardia en su línea de producción de 2 nm, lo que subraya la importancia de la precisión durante la etapa crítica de muestreo.

Oblea de silicio con patrones iridiscentes de colores sobre un fondo oscuro.

Otro hito importante para Rapidus es la utilización de la tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV), lo que la convierte en la primera empresa japonesa en adoptar esta maquinaria avanzada. La integración de los equipos de ASML consolida a Rapidus con las capacidades tecnológicas de TSMC en litografía, lo que pone de manifiesto su firme compromiso con la innovación. La empresa prevé lanzar kits de diseño de procesos (PDK) de GAA de 2 nm para el primer trimestre de 2026, lo que allana el camino para soluciones personalizadas antes del lanzamiento de la producción a gran escala en 2027, casi un año después del plazo previsto por TSMC.

A medida que Rapidus continúa desarrollando su tecnología, la dinámica de la industria podría cambiar. La aparición de nuevos competidores como Rapidus podría introducir la diversidad necesaria en el mercado de semiconductores, especialmente ahora que las empresas consolidadas parecen tener dificultades para mantener su liderazgo.

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