Micron Technology vuelve a estar a la vanguardia de las innovaciones en memoria, colaborando con NVIDIA para ofrecer soluciones de memoria avanzadas diseñadas para la informática de alto rendimiento. Cabe destacar que estos productos mejorarán chips como el HGX B300 NVL16 y el GB300 NVL72, lo que supone un avance significativo en la tecnología de memoria.
Soluciones de memoria de vanguardia de Micron: Presentamos la memoria 12H HBM3E y SOCAMM para mejorar el rendimiento de la IA
Entre los lanzamientos clave se encuentra el SOCAMM LPDDR5X (Módulo de Memoria Adjunta de Compresión de Contorno Pequeño) de Micron, diseñado específicamente para el superchip Ultra GB300 Grace Blackwell de NVIDIA. Como complemento, el chip de memoria 12H HBM3E de 36 GB de Micron impulsará las plataformas HGX B300 NVL16 y GB300 NVL72 de NVIDIA, lo que aumentará significativamente su eficiencia.
Estos nuevos chips Blackwell de NVIDIA, presentados en el reciente evento GTC, aprovechan los formidables chips HBM3E de 8 GB y 24 GB de Micron para sus modelos HGX B200 y GB200 NVL72. La nueva configuración de memoria HBM3E de 12 GB apila 12 matrices DRAM verticalmente, lo que le permite ofrecer una impresionante capacidad de memoria de 12 GB superior a la de su versión de 8 GB. Estas mejoras son cruciales para las operaciones de IA con alto consumo de memoria, ya que permiten a las GPU gestionar cargas de trabajo sustanciales con un aumento de memoria del 50 %, lo que permite procesar modelos de IA completos, como el Llama 405B de Meta, en una sola GPU.
Además, la memoria HBM3E de 12H no solo ofrece mayor capacidad, sino también un mejor ancho de banda y un consumo de energía un 20 % menor. Esta eficiencia es especialmente beneficiosa para las operaciones de centros de datos, donde tanto el rendimiento como el ahorro de energía son fundamentales.
La SOCAMM basada en LPDDR5X destaca como una excelente opción para computación de alto rendimiento (HPC).Con sus dimensiones compactas de tan solo 14 x 90 mm, ocupa apenas un tercio del espacio requerido por las RDIMM tradicionales y admite hasta 128 GB por módulo mediante pilas de 16 matrices de memoria LPDDR5X. Su diseño no solo optimiza el espacio, sino que también ofrece más de 2, 5 veces el ancho de banda, con una eficiencia energética significativamente mayor que las RDIMM estándar.
Actualmente, Micron cuenta con un sólido portafolio que incluye memoria GDDR7 para las GPU de la serie Blackwell RTX 50 de NVIDIA, RDIMM y MRDIMM DDR5 de alta capacidad, junto con tecnologías HBM3E y SOCAMM. Además, las soluciones de almacenamiento de vanguardia de Micron, como las unidades SSD Micron 9550 NVMe y 7450 NVMe, refuerzan aún más su liderazgo en tecnología de memoria y almacenamiento. Por otro lado, la competencia incluye la SSD 9100 PRO, recientemente lanzada por Samsung, que utiliza el estándar PCI-E 5.0 para alcanzar asombrosas velocidades de lectura secuencial de hasta 14 800 MB/s.
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