Micron presenta los módulos HBM4 de 11 Gbps más rápidos y analiza la colaboración con TSMC para memoria HBM4E y GDDR7 de más de 40 Gbps

Micron Technology anunció recientemente un avance significativo en el mercado de la memoria al lanzar la DRAM de alto ancho de banda de 11 Gbps (HBM4) más rápida de la historia, además de detallar su asociación con TSMC para el desarrollo de la HBM4E de próxima generación.

Tecnología HBM4 líder en la industria y nuevas alianzas

Durante su última presentación de resultados del cuarto trimestre y del año fiscal 2025, Micron reveló novedades clave sobre sus segmentos de memoria DRAM y NAND Flash. La compañía reportó resultados financieros impresionantes, alcanzando ingresos de $11, 32 mil millones en el trimestre, un aumento notable con respecto a los $9, 30 mil millones del trimestre anterior. Además, los ingresos totales del año fiscal aumentaron de $25, 11 mil millones a la impresionante cifra de $37, 38 mil millones. Con el objetivo de mejorar aún más su rendimiento, la compañía se está enfocando en soluciones de memoria de nueva generación.

Diapositiva de presentación de Micron sobre el desempeño financiero — Descripción general del desempeño financiero y los objetivos de Micron.

Diapositiva de presentación de Micron sobre las estrategias para el año fiscal 2026 — Estrategias y detalles de Micron sobre DRAM/NAND para el año fiscal 2026.

En relación con el desarrollo de HBM4, Micron afirmó que su solución DRAM HBM4 de 12 Hi está bien posicionada para satisfacer las crecientes demandas de rendimiento de la industria. La compañía ha enviado con éxito las primeras muestras de su HBM4 de alto rendimiento, con velocidades de pin superiores a 11 Gbps y un ancho de banda excepcional de 2, 8 TB/s. Micron afirma que su memoria HBM4 liderará el mercado tanto en rendimiento como en eficiencia, superando a la competencia.

Nos complace observar que nuestra cuota de mercado de HBM está en vías de volver a crecer y de estar en línea con nuestra cuota de mercado general de DRAM en este tercer trimestre, cumpliendo así nuestro objetivo, que venimos debatiendo desde hace varios trimestres. El HBM4 de 12 hilos de Micron Technology sigue en vías de soportar las mejoras en la plataforma de los clientes, incluso a pesar del aumento de los requisitos de rendimiento para el ancho de banda y la velocidad de los pines de HBM4.

Recientemente hemos enviado muestras de nuestro HBM4 a clientes, con un ancho de banda líder en la industria, superior a 2, 8 TB/s, y velocidades de pin superiores a 11 Gbps. Creemos que el HBM4 de Micron Technology supera a todos los productos HBM4 de la competencia, ofreciendo un rendimiento líder en la industria y la mejor eficiencia energética de su clase. Nuestra probada DRAM 1-gamma, el diseño innovador y energéticamente eficiente del HBM4, la matriz base CMOS avanzada de fabricación propia y las innovaciones de empaquetado son factores clave que hacen posible este producto líder en su clase.

Sanjay Mehrotra – Presidente y director ejecutivo de Micron

Además de HBM4, Micron también presentó la próxima memoria HBM4E. Esta nueva variante contará con la colaboración de TSMC para la fabricación del chip lógico base, a diferencia de la HBM4, desarrollada íntegramente en la empresa. Se están desarrollando variantes estándar y personalizadas de HBM4E, con un lanzamiento previsto para 2027.

Para HBM4E, Micron Technology ofrecerá productos estándar, así como opciones de personalización para la matriz lógica base. Nos hemos asociado con TSMC para la fabricación de la matriz lógica base HBM4E, tanto para productos estándar como personalizados. La personalización requiere una estrecha colaboración con los clientes, y esperamos que HBM4E con matrices lógicas base personalizadas genere mayores márgenes brutos que el HBM4E estándar. Nuestra base de clientes de HBM se ha ampliado y ahora cuenta con seis clientes.

Tenemos acuerdos de precios con casi todos los clientes para la gran mayoría de nuestro suministro de HBM3E en el calendario 2026. Estamos en conversaciones activas con los clientes sobre las especificaciones y volúmenes de HBM4, y esperamos concluir acuerdos para vender el resto de nuestro suministro total de HBM para el calendario 2026 en los próximos meses.

Sanjay Mehrotra – Presidente y director ejecutivo de Micron

Detalles de la memoria Micron GDDR7 — Memoria GDDR7 de Micron que ofrece velocidades y rendimiento de juego mejorados.

Además, Micron destacó su colaboración con NVIDIA para la introducción de la memoria LPDDR en centros de datos, posicionándose como proveedor exclusivo de este tipo de memoria. La compañía también anunció avances en la memoria GDDR7, dirigida tanto a aplicaciones de IA como de cliente, y prevé velocidades superiores a 40 Gbps en futuros modelos. Actualmente, NVIDIA es el único fabricante de GPU que utiliza la tecnología GDDR7, con un lanzamiento inicial a velocidades de pin de 32 Gbps.

En estrecha colaboración con NVIDIA, Micron ha sido pionero en la adopción de LPDRAM para servidores y, desde el lanzamiento de LPDRAM por parte de NVIDIA en su familia de productos GB, Micron ha sido el único proveedor de LPDRAM para centros de datos. Además de nuestro liderazgo en HBM y LP5, Micron también cuenta con una sólida posición gracias a nuestros productos GDDR7, diseñados para ofrecer un rendimiento ultrarrápido con velocidades de pin superiores a 40 Gbps, junto con la mejor eficiencia energética de su clase para satisfacer las necesidades de ciertos sistemas de IA del futuro.

Sanjay Mehrotra – Presidente y director ejecutivo de Micron

Por último, se están produciendo emocionantes desarrollos en el nodo DRAM 1γ de Micron, que alcanza rendimientos maduros significativamente más rápido que las generaciones anteriores, aproximadamente un 50 % más rápido. La compañía también avanza a buen ritmo en la producción de memoria NAND G9, consolidando su liderazgo con la introducción de SSD PCIe Gen6 en centros de datos y prometiendo soluciones más innovadoras con DRAM 1γ de 16 GB.

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