Micron lanza el primer nodo DRAM 1γ con el objetivo de mejorar el rendimiento de la DDR5

Micron Technology ha sido noticia con el lanzamiento de su revolucionaria memoria DDR5 de sexta generación basada en el nodo DRAM de 10 nm. Este desarrollo coloca a Micron a la vanguardia de los mercados industriales y de consumo.

Mayor eficiencia y rendimiento gracias a la DRAM de sexta generación de Micron

Comunicado de prensa : En un anuncio emocionante, Micron Technology, Inc.reveló que se ha convertido en la primera empresa de la industria en comenzar a enviar muestras de su memoria DDR5 1γ (1-gamma) de sexta generación. Esta DRAM de próxima generación está diseñada para CPU avanzadas y se distribuirá inicialmente a clientes selectos y socios del ecosistema. Basándose en sus avances anteriores con los nodos 1α (1-alpha) y 1β (1-beta), Micron está preparada para potenciar la próxima ola de computación, que abarca desde la infraestructura en la nube hasta las aplicaciones industriales, así como los dispositivos de consumo y las tecnologías de inteligencia artificial de borde, como los teléfonos inteligentes y los vehículos inteligentes.

La implementación inicial del nodo DRAM 1γ de Micron aprovechará la DRAM DDR5 de 16 Gb, lo que ampliará gradualmente su integración en toda la cartera de memoria de Micron. Este movimiento estratégico responde a la creciente necesidad de la industria de soluciones de memoria de alto rendimiento y eficiencia energética, en particular en aplicaciones de IA. Este producto DDR5 de 16 Gb cuenta con impresionantes capacidades de velocidad de hasta 9200 MT/s, lo que marca un notable aumento del 15 % en la velocidad y una disminución de más del 20 % en el consumo de energía en comparación con su predecesor.

¿Por qué es importante el nodo DRAM 1γ de Micron?

La demanda de soluciones de memoria avanzadas ha aumentado junto con el auge de la IA en los centros de datos y en el borde de la red. El cambio de Micron al nodo DRAM 1γ aborda varios desafíos críticos que enfrentan sus clientes:

Rendimiento mejorado: la DRAM basada en Micron 1γ mejora el rendimiento, lo que permite mayores capacidades informáticas en diversos productos de memoria, vitales para futuras cargas de trabajo de IA.
Ahorro de energía: gracias a la tecnología CMOS de puerta metálica de alta K de última generación y a las mejoras de diseño, el nodo 1γ logra una reducción de más del 20 % en el consumo de energía, lo que conduce a una mejor gestión térmica.
Mayor densidad de bits: al utilizar litografía EUV y mejoras de diseño innovadoras, el nodo 1γ logra un aumento de más del 30 % en la salida de bits por oblea en comparación con la generación anterior, lo que facilita el escalamiento eficiente del suministro de memoria.

Micron ha aprovechado su amplia experiencia en tecnología DRAM a lo largo de varias generaciones para desarrollar el nodo 1γ optimizado. Esta innovación se basa en avances en CMOS, que aprovechan la tecnología de compuerta metálica de alta K de última generación. Estos avances mejoran el rendimiento del transistor, mejoran las capacidades de velocidad y permiten un importante ahorro de energía y mejoras de escala.

Al integrar la litografía EUV de vanguardia junto con la tecnología de grabado de alta relación de aspecto y diseños innovadores, el nodo 1γ ofrece ventajas de densidad de bits incomparables. El desarrollo del nodo 1γ en múltiples plantas de fabricación globales fortalece aún más el compromiso de Micron con el avance tecnológico y la resiliencia de la cadena de suministro.

Productos que transforman desde la nube hasta el borde

El nodo 1γ servirá como una tecnología fundamental que mejorará toda la cartera de memoria de Micron, impactando varios sectores:

Centro de datos: Las soluciones de memoria DDR5 basadas en 1γ para centros de datos prometen un rendimiento mejorado de hasta un 15 % junto con una eficiencia energética mejorada, lo que permite un escalamiento continuo del rendimiento del servidor para un diseño térmico y energético optimizado en futuras implementaciones de rack.
Edge AI: Las soluciones DRAM de bajo consumo de 1γ no solo mejoran el ahorro de energía, sino que también ofrecen un mayor ancho de banda, enriqueciendo las experiencias del usuario en aplicaciones Edge AI.
- PC con IA: Las SODIMM DDR5 de 1γ mejoran el rendimiento al tiempo que reducen el consumo de energía en un 20 %, lo que extiende de manera efectiva la vida útil de la batería y mejora la experiencia del usuario en las computadoras portátiles.
- Dispositivos móviles: con la introducción de 1γ LPDDR5X, Micron continúa liderando el campo de la tecnología móvil, lo que permite aplicaciones de IA excepcionales en el borde.
- Automotriz: La memoria LPDDR5X de 1γ mejora la capacidad, la durabilidad y el rendimiento, logrando velocidades de hasta 9600 MT/s.

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