Intel Foundry ha logrado recientemente avances significativos en la innovación de semiconductores, presentando el primer y más delgado chiplet de GaN del mundo, que cuenta con un notable grosor de tan solo 19 μm.
Transformando los centros de datos y la conectividad con la tecnología GaN.
Este revolucionario chiplet ejemplifica el compromiso de Intel con la mejora de la potencia, la velocidad y la eficiencia dentro de una estructura compacta. Desarrollado por el equipo de investigación de Intel Foundry, este innovador chiplet de nitruro de galio (GaN) utiliza obleas de GaN sobre silicio de 300 mm e incluye varias características destacables:
- El chip de GaN tiene un grosor de tan solo 19 micrómetros (μm), y se ha desarrollado a partir de una oblea de GaN sobre silicio de 300 milímetros (mm).
- La integración exitosa de transistores de GaN con circuitos digitales de silicio tradicionales en un solo chip permite funciones informáticas avanzadas sin necesidad de microchips separados.
- Las exhaustivas pruebas realizadas indican que esta innovadora tecnología GaN cumple con los altos estándares de fiabilidad necesarios para aplicaciones prácticas, lo que la hace idónea para la electrónica más pequeña y eficiente, indispensable para los centros de datos modernos y el futuro de las comunicaciones 5G y 6G.
En un reciente comunicado de prensa, Intel Foundry destacó esta revolucionaria tecnología de chiplets de GaN como un avance fundamental en el diseño de semiconductores. Presentada en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM) de la IEEE de 2025, esta innovación busca abordar los principales desafíos del panorama informático, en particular la demanda de mayor potencia, velocidad y eficiencia en formatos cada vez más compactos.
Ante la creciente demanda de un mayor rendimiento en diversos sectores, como el procesamiento gráfico, las tecnologías de servidores y las redes inalámbricas de alta velocidad, el chiplet GaN ultrafino de Intel Foundry —con tan solo 19 μm de grosor, equivalente a una quinta parte de un cabello humano— representa una evolución sustancial en la fabricación de semiconductores. Esta innovación se complementa con los primeros circuitos de control digital totalmente monolíticos integrados en el chip, todos ellos incorporados mediante un único proceso de fabricación.
Los avances de Intel Foundry responden a un desafío constante en la electrónica: la necesidad de integrar más funcionalidades en espacios reducidos, gestionando al mismo tiempo el aumento de la demanda energética y las mayores velocidades de transferencia de datos. Las tecnologías tradicionales de silicio están llegando a sus límites, lo que impulsa la búsqueda de materiales alternativos como el GaN. Esta nueva tecnología reduce la necesidad de chiplets complementarios, minimizando así la pérdida de energía en el enrutamiento de señales y optimizando la eficiencia general del sistema. Las exhaustivas pruebas de fiabilidad demuestran el buen potencial de esta plataforma como producto viable en entornos reales.
Las implicaciones de esta tecnología van mucho más allá de las aplicaciones aisladas. En los centros de datos, los chips de GaN pueden operar con mayor eficiencia, conmutando más rápido y consumiendo menos energía que sus homólogos de silicio. Esto permite el desarrollo de reguladores de voltaje que no solo son más pequeños y eficientes, sino que también se ubican convenientemente más cerca de los procesadores para minimizar las pérdidas resistivas en rutas de alimentación largas.
Además, las capacidades de alta frecuencia de los transistores de GaN los hacen ideales para la tecnología de interfaz de radiofrecuencia (RF) necesaria para los sistemas 5G y 6G de la próxima década. La capacidad del GaN para funcionar eficazmente a frecuencias superiores a 200 GHz lo posiciona como un componente crítico para las bandas de ondas centimétricas y milimétricas, esenciales para las redes de próxima generación. Más allá de las comunicaciones, esta tecnología también tiene gran relevancia para sistemas de radar, comunicaciones por satélite y aplicaciones fotónicas donde la conmutación eléctrica rápida es fundamental.
En comparación con la tecnología CMOS de silicio convencional, los chiplets de GaN presentan ventajas significativas que los materiales convencionales no pueden igualar. Ofrecen una mayor densidad de potencia, lo que permite crear sistemas más potentes en espacios reducidos, algo esencial para entornos con limitaciones de espacio, como el suministro de energía en el punto de carga para centros de datos, vehículos eléctricos de última generación y estaciones base inalámbricas. El silicio tradicional comienza a presentar problemas de fiabilidad a temperaturas superiores a los 150 °C, lo que limita su utilidad en condiciones de alta temperatura.
Gracias a su banda prohibida más amplia, la tecnología GaN puede operar en entornos de alta temperatura con mayor estabilidad, lo que reduce las pérdidas de potencia durante las conmutaciones y mejora la gestión térmica. Esta eficiencia no solo disminuye los costos operativos, sino que también reduce el tamaño y el costo de los sistemas de refrigeración. Además, la decisión de Intel Foundry de utilizar obleas de silicio de 300 mm para la producción de GaN se integra perfectamente con las infraestructuras de fabricación de silicio existentes, lo que podría minimizar la necesidad de realizar importantes inversiones de capital.