El proceso Intel 18A alcanza una densidad de SRAM comparable a la TSMC N2; Team Blue se prepara para un regreso notable

Informes recientes indican que el proceso 18A de Intel ha alcanzado niveles de densidad de SRAM comparables a la tecnología N2 de TSMC, un hito significativo que resalta las avanzadas capacidades de semiconductores de Intel.

La importancia del proceso 18A de Intel y de innovaciones como BSPDN

Con la evolución de la arquitectura de chips de Intel, existe una creciente sensación de optimismo respecto del futuro de la empresa. Los debates recientes en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) revelan que Intel y TSMC están muy igualados en términos de densidad de SRAM, y que se están realizando avances notables que podrían reconfigurar el panorama competitivo de la fabricación de semiconductores.

Estuve en la sesión 29 de @ieee_isscc : SRAM

Primer artículo: $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM Segundo artículo: $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM Tercer artículo: @Mediatek 3nm TCAM Cuarto artículo: @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM

Es una batalla real.

— Sí. IanCutress (@IanCutress) 19 de febrero de 2025

A medida que profundizamos en las posibilidades que presenta el proceso 18A, es esencial destacar una de sus innovaciones revolucionarias: la red de suministro de energía por la parte posterior (BSPDN).Esta tecnología pionera traslada el suministro de energía desde la parte frontal a la parte posterior de la oblea, lo que da como resultado una mayor eficiencia energética y una mejor integridad de la señal, ambos factores cruciales para el rendimiento de los semiconductores modernos.

Intel estaría atrayendo a TSMC — Un empleado de una fábrica de Intel sostiene una oblea con tecnología Foveros apilada en 3D en una instalación de fabricación de Intel en Hillsboro, Oregón (diciembre de 2023).En febrero de 2024, Intel presentó Intel Foundry, posicionándose como la primera fundición de sistemas del mundo diseñada para la era de la IA, haciendo hincapié en el liderazgo tecnológico, la resiliencia y la sostenibilidad.(Crédito: Intel Corporation)

Se informa que las versiones de alta densidad del chip 18A de Intel alcanzan una impresionante densidad de bits macro de 38, 1 Mb/mm² en configuraciones de matriz de gran tamaño. Si bien las variaciones en la disposición de las celdas de SRAM pueden influir en los resultados de densidad, las perspectivas para el proceso 18A parecen significativamente positivas. Sin embargo, es fundamental monitorear el desempeño real de la producción de chips, especialmente las tasas de rendimiento, para evaluar completamente la efectividad de esta nueva tecnología.

Mientras tanto, TSMC también ha avanzado en su proceso N2, mostrando un aumento del 12% en la densidad de SRAM gracias a su transición a la tecnología Gate-All-Around (GAA).Las mejoras en la SRAM de alto rendimiento muestran un notable aumento del 18% en la densidad. La clave de esta mejora radica en el paso de las estructuras tradicionales FinFET a las estructuras de “nanoláminas” N2, lo que permite una mayor personalización y precisión en el proceso de fabricación.

La carrera competitiva entre TSMC e Intel se está intensificando y promete un entorno aún más intenso en materia de innovación en semiconductores. Sin embargo, la prueba definitiva de estos avances radica en su integración en la cadena de suministro y en el desempeño real del mercado.

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