La industria de HBM duplicará sus ingresos para 2025, cortesía de los chips de IA de próxima generación de NVIDIA y otros

Se prevé que el mercado de HBM, que a menudo se considera la columna vertebral de la informática de IA, duplicará sus ingresos de mercado para 2025 , a medida que la industria avanza hacia los chips de próxima generación.

Los mercados de HBM han visto una nueva esperanza con la influencia de la IA, catalizando un inmenso crecimiento de los ingresos

Ante esta situación, el investigador de mercado Gartner informa que el mercado de HBM alcanzará la friolera de 4.976 millones de dólares en 2025, lo que supone casi el doble de las cifras alcanzadas en 2023. La estimación se basa únicamente en la demanda actual y prevista. de la industria, y no hay sorpresas aquí, ya que el área clave donde HBM vende más es su aplicación en GPU de IA. Como se informó varias veces en el pasado, el repentino aumento en la demanda de GPU de IA creó una escasez de HBM en los mercados, ya que HBM es el componente principal en la composición de un acelerador de IA.

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También existe una gran sensación de optimismo con respecto al futuro de HBM, ya que, según coberturas anteriores, la industria está cambiando hacia estándares más nuevos, con modelos como HBM3e y HBM4 que recibirán una adopción generalizada por parte de los fabricantes.

NVIDIA tiene mucho planeado para sus clientes en 2024, ya que la compañía ya anunció la GPU H200 Hopper , que se espera que tenga una adopción masiva el próximo año, seguida de la introducción de las GPU B100 “Blackwell” AI , las cuales se basará en la tecnología de memoria HBM3e. Una situación similar también ocurre en el campo de AMD, con el debut de sus GPU AMD Instinct de próxima generación con el nuevo tipo HBM.

Comparación de especificaciones de memoria HBM

DRACMA	HBM1	HBM2	HBM2e	HBM3	HBM3 Gen2	HBMSiguiente (HBM4)
E/S (interfaz de bus)	1024	1024	1024	1024	1024-2048	1024-2048
Captación previa (E/S)	2	2	2	2	2	2
Ancho de banda máximo	128GB/s	256 GB/s	460,8 GB/s	819,2 GB/s	1,2 TB/s	1,5 – 2,0 TB/s
Circuitos integrados de DRAM por pila	4	8	8	12	8-12	8-12
Maxima capacidad	4 GB	8GB	16 GB	24GB	24 – 36GB	36-64GB
tRC	48ns	45ns	45ns	por confirmar	por confirmar	por confirmar
CCD	2ns (=1tCK)	2ns (=1tCK)	2ns (=1tCK)	por confirmar	por confirmar	por confirmar
PPV	PPV externo	PPV externo	PPV externo	PPV externo	PPV externo	por confirmar
VDD	1,2 V	1,2 V	1,2 V	por confirmar	por confirmar	por confirmar
Entrada de comando	Comando doble	Comando doble	Comando doble	Comando doble	Comando doble	Comando doble

De hecho, la industria de la memoria ha experimentado un resurgimiento con la llegada de la IA a los mercados y, por lo que nos dicen los indicadores, las cosas no parecerán calmarse por ahora.

Fuente de noticias: Ctee