El nodo de proceso Intel 18A ofrece un aumento del 25 % en la frecuencia ISO y una reducción del 36 % en el consumo de energía a una frecuencia equivalente en comparación con Intel 3, además de una mejora de la densidad de más del 30 %

Intel ha presentado su innovador nodo de proceso 18A, que sucederá al nodo Intel 3, con mejoras en las velocidades de reloj y escalabilidad de voltaje que prometen elevar el rendimiento en diversas aplicaciones.

Presentamos el nodo de proceso Intel 18A: un gran avance

Durante el Simposio sobre Tecnología y Circuitos VLSI de 2025, Intel presentó su nodo de proceso de 18 A de vanguardia. Esta nueva tecnología impulsará futuras líneas de productos, como las CPU «Panther Lake» dirigidas al mercado de consumo y los procesadores Xeon Clearwater Forest E-Core para servidores.

Tecnología CMOS avanzada

“Tecnología de plataforma Intel 18A con RibbonFET (GAA) y Power Via para computación avanzada de alto rendimiento” – Intel (Documento T1-1).La innovadora tecnología 18A utiliza RibbonFET y Power Via, lo que ofrece un escalado de densidad superior al 30 % y una mejora significativa del rendimiento en comparación con Intel 3. Incluye bibliotecas de alto rendimiento (HP) y alta densidad (HD) diseñadas para una usabilidad óptima y la innovación en la arquitectura de chips.

Las características destacadas del nodo 18A de Intel se centran en la tecnología RibbonFET y PowerVia. Estos avances allanan el camino hacia una mayor eficiencia y la transición a tecnologías de procesamiento de última generación.

La transición de Intel a la tecnología RibbonFET de 18 A supone un avance sustancial con respecto a los procesos FinFET. Mejora la electrostática de la puerta, maximiza el ancho de puerta efectivo por huella, reduce la capacitancia parásita y aumenta la flexibilidad de diseño.

Las mejoras de diseño de RibbonFET con respecto a FinFET abarcan varios aspectos, entre ellos:

Múltiples anchos de cinta para bibliotecas 180H y 160H.
Compensaciones óptimas entre potencia lógica y fugas logradas a través de la cooptimización de la tecnología de diseño (DTCO).
Anchos de cinta especializados para SRAM diseñados para mejorar el rendimiento de las celdas de bits.

El suministro de energía también presenta mejoras significativas gracias a la tecnología PowerVia de 18 A de Intel, que utiliza cables de señal de alimentación traseros en lugar de conexiones frontales. Este innovador enfoque permite:

Densidad lógica mejorada.
Utilización celular estándar superior.
Resistencia-capacitancia de señal reducida (RC).
Caída de tensión minimizada.
Mayor flexibilidad de diseño.

Especificaciones del Intel 18A

Altura de la biblioteca HP/DR (nm)	180/160
Paso de policontacto (nm)	50
Paso M0 (nm)	32
Área SRAM HCC/HDC	0, 023/0, 021 µm²
Número de capas de metal en la parte frontal	10 ml de bajo costo, 10 ml de alta densidad y 14-16 ml de alto rendimiento.
Número de capas de metal en la parte trasera	3 ml + 3 ml

Con estos avances tecnológicos, el nodo de proceso 18A de Intel logra una ganancia de rendimiento de más del 15 % en condiciones de potencia isométrica en comparación con Intel 3.

Con un voltaje de 1, 1 V, el nodo de 18 A ofrece un rendimiento de frecuencia aproximadamente un 25 % superior. Además, admite operaciones de bajo voltaje por debajo de 0, 65 V, lo que permite un ahorro de energía de hasta un 38 % a velocidades de reloj equivalentes. Entre los factores clave que contribuyen a estas mejoras de rendimiento se incluyen:

Transistores RibbonFET.
Ventajas de la entrega de potencia en la parte trasera.
Interconexiones mejoradas en la parte frontal.
Co-optimización de procesos y diseño.

Para escalar la densidad, el nodo 18A de Intel demuestra una mejora de hasta un 39% en la densidad en comparación con Intel 3, con la tecnología de energía trasera logrando un aumento del 8-10% en la utilización de la celda mientras reduce significativamente la caída de IR en el peor de los casos por un factor de 10. Además, ofrece una altura de biblioteca HP de 180 nm en comparación con los 240 nm en Intel 3, junto con una altura de biblioteca HD de 160 nm frente a los 210 nm en Intel 3, y un paso M0/M2 de 32/32 frente a los 30/42 en Intel 3.

En cuanto al escalado de SRAM, el nodo 18A logra una mejora de densidad del 30% para HCC SCRAM en comparación con Intel 3, ofreciendo HCC a 0, 0230 µm² y HDC a 0, 0210 µm². Además, Intel planea implementar mejoras iterativas en el nodo 18A con variantes adicionales, como 18A-P y 18A-PT, que se lanzarán entre 2026 y 2028, lo que anima a los clientes a aprovechar estos avances en la producción de chips.

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