El chip 18A-P de Intel: un aumento de velocidad del 9 %, una conductividad térmica un 50 % superior y diseños de esquinas inclinadas mejorados para atraer a clientes de fundición.

Intel está impulsando actualmente su tecnología de proceso 18A, en particular la variante 18A-P, diseñada para mejorar el rendimiento y la eficiencia energética para clientes externos, al tiempo que se prepara para aumentos significativos en el volumen de producción de Panther Lake.

El nodo de proceso 18A-P: Ventajas clave para los clientes externos

Mientras la compañía se prepara para la conferencia VLSI programada para junio, ha compartido información preliminar sobre 18A-P, destacando los avances que mejoran su competitividad en el mercado de fundición. Intel posiciona la página web de VLSI como un recurso para obtener más información.

Intel 18A-P es una tecnología de transistores RibbonFET de compuerta envolvente (GAA) de rendimiento mejorado, con suministro de energía por la parte posterior a través de PowerVia. En comparación con Intel 18A, Intel 18A-P ofrece un consumo de energía un 18 % menor con el mismo rendimiento o un aumento de rendimiento superior al 9 % con el mismo consumo. Esta mejora se logra mediante nuevas características tecnológicas, la optimización del rendimiento de los transistores, la mejora de la interconexión y la optimización conjunta de la tecnología de diseño (DTCO).

Las nuevas características de Intel 18A-P incluyen pares VT lógicos adicionales, ajuste de esquinas de sesgo, nuevos dispositivos de bajo consumo en las bibliotecas de alta densidad (HD) y alto rendimiento (HP), y dispositivos HP con rendimiento mejorado en ambas bibliotecas. Además, Intel 18A-P ofrece una menor resistencia térmica para una mejor disipación del calor.

Fuente de la imagen: Dr. Ian Cutress (a través de VLSI)

La tecnología 18A-P de Intel promete un notable aumento de rendimiento de aproximadamente un 9 % con niveles de potencia equivalentes, o una reducción de consumo energético de aproximadamente un 18 % para el mismo rendimiento, en comparación con el proceso 18A. Esto posiciona a la 18A-P como una versión mejorada de su predecesora, preparada para satisfacer las crecientes demandas de las aplicaciones de semiconductores modernas.

Las mejoras clave en la lista de características indican continuidad en la altura de la biblioteca y el paso de los contactos poligonales, mientras que las mejoras notables incluyen la introducción de nuevos transistores de baja y alta potencia, un aumento en el número de pares VT lógicos de cuatro a cinco o más, y la implementación de esquinas de sesgo más ajustadas para optimizar la variabilidad del rendimiento.

Intel 18A vs.18A-P: Una visión general comparativa

Categoría	Característica	18A	18A-P
Actuación	Rendimiento a potencia isométrica	1x	Aumento del rendimiento de potencia constante en un 9 %
Reglas de diseño	Paso de polisilicio en contacto (nm)	50	50
Altura de la biblioteca (nm)	—	180 / 160	180 / 160
Transistor	Dispositivos disponibles	Z2, Z3	Z1, Z2, Z3, Z1 (baja potencia), Z1.5 (baja potencia), Z3P (contacto HP)
Opciones de VT	Pares VT lógicos	4 pares de VTs lógicos	Más de 5 pares de VT lógicos (Nuevo VT lógico entre ULVT y LVT) ULVT inferior
Esquinas oblicuas	—	—	Apriete de aproximadamente un 30% en las esquinas oblicuas.
Interconexión RC	—	Proceso base Intel 18A	Reducción V0-V2 R M2-M4 movimientos
Térmicas	—	—	Mejora de la conductividad térmica en un 50%.

Entre los avances más importantes destaca la mejora del 50 % en la conductividad térmica. Si bien esto no implica que los chips funcionen a temperaturas más bajas, sí indica una mejor capacidad de transferencia de calor, fundamental para mantener el rendimiento bajo carga.

Intel también ha visualizado las mejoras de rendimiento de la tecnología 18A-P mediante gráficos que comparan las frecuencias del oscilador de anillo con la capacitancia normalizada, lo que demuestra la velocidad superior y la eficiencia energética que ofrece el nuevo proceso.

Un gráfico titulado '180CH' compara dispositivos con capacitancia normalizada frente a la frecuencia del oscilador de anillo, mostrando avances con los dispositivos 'Intel 18A-P' resaltados como un 'Nuevo dispositivo con contactos de alto rendimiento'.

Etiqueta	Color/Forma	Significado
W1	puntos verdes	Nuevo dispositivo con contactos de alto rendimiento: el clúster de mejor rendimiento con la frecuencia de oscilador de anillo más alta.
W2	Cuadrados oscuros + verde	Paso intermedio que muestra una movilidad mejorada (los electrones se mueven con mayor facilidad a través del canal).
W3	cuadrados oscuros	A mayor número de iteraciones, mayor rendimiento.
W3P	puntos azules	Nuevo dispositivo con contactos de alto rendimiento: el clúster de mejor rendimiento con la frecuencia de oscilador de anillo más alta.

El nodo de proceso 18A-P no solo representa una mejora marginal en el rendimiento, sino que incluye avances técnicos significativos diseñados para captar nuevos clientes de manera efectiva. A medida que los kits de desarrollo de procesos 18A-P y 14A maduran, los analistas se muestran optimistas sobre las perspectivas de Intel de fortalecer las relaciones con sus clientes en sus operaciones de fabricación.

Para obtener más detalles, consulte las ideas compartidas por el Dr. Ian Cutress.

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