AMD presenta su última patente para un rendimiento de memoria mejorado con un enfoque DRAM multichip, lo que beneficia significativamente a las APU.

AMD ha presentado recientemente una innovadora patente enfocada en mejorar el rendimiento de la DRAM, que duplica notablemente el ancho de banda de la memoria sin requerir silicio DRAM más rápido. En cambio, este avance aprovecha modificaciones en la lógica del módulo.

La patente de AMD logra un aumento drástico del ancho de banda de la memoria sin avances en el silicio DRAM

Tradicionalmente, las actualizaciones de hardware conllevan desafíos inherentes, que a menudo requieren modificaciones arquitectónicas sustanciales o la reelaboración de la lógica y las tecnologías de semiconductores. Sin embargo, la última patente de AMD introduce un concepto innovador denominado «DIMM de alto ancho de banda» (HB-DIMM), que duplica con éxito el ancho de banda de la memoria DDR5 mediante la implementación de cambios más sencillos, pero efectivos. En lugar de centrarse únicamente en el avance de los procesos de DRAM, AMD ha combinado ingeniosamente los controladores de registro/reloj (RCD) con chips de búfer de datos, lo que permite un aumento significativo del ancho de banda de la memoria.

Diagrama de un circuito denominado FIG.3 que muestra componentes como PLL, PC0 y PC1 con distintas rutas de datos y velocidades. — Diagrama de la patente HB-DIMM de AMD

Profundizando en los detalles técnicos, la patente describe cómo la metodología HB-DIMM evita las mejoras directas de la DRAM. Mediante técnicas como la resincronización y la multiplexación, el ancho de banda de la memoria aumenta de 6, 4 Gb/s por pin a unos impresionantes 12, 8 Gb/s por pin. Esta duplicación del ancho de banda se produce porque AMD utiliza los búferes de datos integrados para fusionar dos flujos de DRAM de velocidad convencional en un flujo acelerado dirigido al procesador, mejorando así el rendimiento general.

Esta tecnología está diseñada principalmente para inteligencia artificial (IA) y aplicaciones similares que consumen mucho ancho de banda. Además, la patente sugiere una implementación interesante para unidades de procesamiento acelerado (APU) y unidades de procesamiento gráfico integradas (iGPU).Propone el uso de dos conectores de memoria: uno que utiliza la memoria física DDR5 estándar y otro, designado como memoria física HB-DIMM. Este enfoque híbrido optimiza el uso de la memoria; el mayor volumen de memoria proviene de la DDR5 estándar, mientras que el canal HB-DIMM está diseñado para la transferencia de datos a alta velocidad.

Diagrama de una arquitectura de GPU que indica componentes como procesadores de comandos, controlador de memoria, cachés y memoria DDR — Integración de HB-DIMM en APU

En el contexto de las APU, esta innovadora estrategia ofrece una capacidad de respuesta superior para tareas de IA en el dispositivo que requieren un alto rendimiento de datos. A medida que la IA de borde continúa ganando protagonismo en los entornos informáticos convencionales, AMD se beneficiará significativamente de este desarrollo. Sin embargo, cabe destacar que un mayor ancho de banda de memoria podría conllevar un mayor consumo de energía, lo que requiere soluciones de refrigeración eficientes para gestionar esta demanda.

En general, el enfoque HB-DIMM muestra un gran potencial, duplicando efectivamente el ancho de banda de la memoria y evitando la necesidad de avances en la tecnología de silicio DRAM.

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