Samsung presenta en el CES 2026 la memoria LPDDR6 de 10,7 Gbps y la unidad SSD PM9E1 M.2 22×42 Gen5 de 14,8 GB/s.

Samsung tiene previsto presentar sus innovadoras soluciones de memoria LPDDR6 y SSD PM9E1 Gen5 en el CES 2026, junto con un conjunto de otras tecnologías avanzadas.

Samsung se prepara para lanzar la memoria DRAM LPDDR6 y la unidad SSD PM9E1 Gen5 en el CES 2026.

La expectación por el CES 2026 va en aumento tras la reciente presentación de los Premios a la Innovación de la organización. Samsung acapara la atención con dos productos revolucionarios que se presentarán: la innovadora memoria LPDDR6 y la unidad SSD PM9E1 Gen5 de última generación.

Soluciones de memoria LPDDR6 revolucionarias

En una jugada estratégica, Samsung presentará sus primeros productos DRAM LPDDR6 el próximo año. Empleando un sofisticado proceso de fabricación de 12 nm, la compañía promete ofrecer velocidades de datos de hasta 10, 7 Gbps y un notable aumento del 21 % en la eficiencia energética en comparación con las soluciones LPDDR5 anteriores.

Chip Samsung LPDDR6. — Fuente de la imagen: Samsung (CES 2026)

Actualmente, la memoria LPDDR5X de Samsung es su solución más rápida. Se espera que la próxima LPDDR6 mejore las velocidades de transferencia en un impresionante 11, 5 %, incrementando notablemente el ancho de banda. Si bien Samsung aún no ha anunciado las capacidades específicas de memoria disponibles, el CES revelará estos interesantes detalles.

A medida que la IA, la computación en el borde y las plataformas móviles siguen evolucionando, la demanda de memoria más rápida, eficiente y segura alcanza niveles sin precedentes. LPDDR6 es una solución de memoria de última generación diseñada para satisfacer estas necesidades. Fabricada con un avanzado proceso de 12 nm, LPDDR6 admite velocidades de datos ultrarrápidas de hasta 10, 7 Gbps y cuenta con un mayor número de E/S para maximizar el ancho de banda, lo que la hace ideal para aplicaciones móviles con uso intensivo de datos, computación en el borde y cargas de trabajo de IA.

Un sistema dinámico de gestión de energía ajusta de forma inteligente el consumo energético según la carga de trabajo, ofreciendo una eficiencia energética aproximadamente un 21 % superior a la de su predecesor. La memoria LPDDR6 también incorpora mecanismos de seguridad mejorados para proteger la integridad de los datos, ampliando su uso más allá de los dispositivos móviles a entornos industriales y de IA de misión crítica. Gracias a su arquitectura escalable y multiplataforma, y a su diseño ecológico, la LPDDR6 logra un equilibrio óptimo entre rendimiento, ahorro energético y fiabilidad, convirtiéndose en una solución de memoria esencial para los sistemas inteligentes del futuro.

vía Samsung

Presentamos la unidad SSD PM9E1 Gen5.

Además de su revolucionaria memoria DRAM, Samsung también presentará su esperada unidad SSD PM9E1 Gen5. Esta compacta unidad SSD con formato M.2 de 22×42 ofrece un rendimiento excepcional, con velocidades de lectura de hasta 14, 8 GB/s y de escritura de 13, 4 GB/s. Con capacidad para soportar hasta 4 TB de almacenamiento, se destaca como una de las unidades SSD Gen5 más rápidas disponibles en un formato tan pequeño.

Samsung revela que la unidad SSD PM9E1 Gen5 utilizará su controlador patentado “Presto”, combinado con la última tecnología V8 TLC V-NAND Flash, lo que garantiza un rendimiento y una durabilidad incomparables.

La PM9E1 M.2 22×42 es la primera unidad SSD PCIe Gen5 NVMe del mundo optimizada para IA en un formato M.2 ultracompacto de 22 mm x 42 mm, que ofrece un rendimiento revolucionario y una eficiencia espacial excepcional. Diseñada para juegos de alto nivel, IA integrada de última generación y computación de alto rendimiento, la PM9E1 ofrece velocidades de lectura/escritura secuenciales líderes en la industria de hasta 14, 8 GB/s y 13, 4 GB/s. Con capacidades de hasta 4 TB —sin precedentes en esta categoría— está diseñada para sistemas informáticos con limitaciones de espacio sin sacrificar el rendimiento.

La unidad PM9E1 M.2 22×42 incorpora el controlador «Presto» de Samsung y la innovadora memoria V-NAND TLC V8, lo que garantiza una eficiencia energética, una capacidad de respuesta y una durabilidad excepcionales. Su sólida arquitectura admite operaciones de datos seguras con SPDM (Protocolo de Seguridad y Modelo de Datos) v1.2 para la autenticación a nivel de dispositivo y la integridad del firmware. Ya sea para acelerar cargas de trabajo de IA o para transmitir contenido de ultra alta resolución, la PM9E1 define el futuro del almacenamiento rápido, seguro y compacto.

vía Samsung

Mirando hacia el futuro

Se espera que Samsung también ofrezca más detalles sobre otras tecnologías, como la memoria GDDR7, en el próximo CES. Estén atentos a los anuncios de Samsung conforme se acerque el CES 2026, ya que estos avances podrían redefinir los estándares de rendimiento en el sector tecnológico.

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