SK hynix ha presentado una ambiciosa hoja de ruta tecnológica que se extiende más allá de 2029, incluyendo avances en HBM5, GDDR7-next, DDR6 y revolucionarias soluciones NAND 4D de más de 400 capas.
Hoja de ruta de SK hynix para la próxima generación de DRAM y NAND: Desarrollos clave para 2029-2031
Avance de la Cumbre We AI 2025: Hoja de ruta para DRAM y NAND (2026-2028)
De cara al periodo 2026-2028, We hynix se prepara para lanzar HBM4 con configuraciones de 16 hilos y HBM4E en variantes de 8, 12 y 16 hilos, además de una solución HBM personalizada. Esta iniciativa busca mejorar significativamente el rendimiento de la memoria.
La innovadora solución HBM personalizada reubica el controlador HBM en el chip base, optimizando la integración de diversos componentes IP, como protocolos. Esta estrategia permite a los fabricantes de GPU y ASIC aumentar el área de silicio disponible para computación. Además, se espera que este diseño personalizado reduzca el consumo de energía de la interfaz, mejorando la eficiencia. En colaboración con TSMC, We hynix está avanzando hacia esta solución HBM de última generación.
Desarrollos y direcciones futuras de la memoria NAND
En el ámbito de la memoria NAND, We hynix está presentando soluciones estándar como PCIe Gen5 eSSD, con capacidades superiores a 245 TB+ que utilizan tecnología QLC, junto con PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0 y soluciones NAND “AI-N” mejoradas con IA.
Expectativas futuras para las tecnologías gráficas y de memoria
La próxima generación de GDDR7-next indica una brecha en el desarrollo de las tarjetas gráficas dedicadas. El despliegue inicial de GDDR7 estará limitado a 30-32 Gbps, alcanzando un máximo de 48 Gbps. Dado el potencial proyectado de este estándar, su uso generalizado a plena capacidad podría no materializarse hasta alrededor de 2027-2028.
Además, la introducción prevista de la memoria DDR6 entre 2029 y 2031 sugiere que los usuarios de ordenadores de sobremesa y portátiles convencionales no deberían esperar mejoras más allá de la DDR5 durante varios años más.
La memoria flash de alto ancho de banda está preparada para satisfacer las crecientes demandas de inferencia de IA para la próxima generación de tecnologías de computación personal, y será interesante observar sus aplicaciones prácticas y su eficacia en escenarios del mundo real.
Línea completa de memorias con IA
– Las soluciones de memoria actuales priorizan el procesamiento, pero el futuro apunta a diversificar el papel de la memoria para mejorar la utilización de los recursos informáticos y resolver los cuellos de botella de la inferencia de IA.
– Dado que el crecimiento del mercado de la IA tiende hacia la eficiencia y la optimización, la evolución de la HBM hacia productos personalizados satisfará las necesidades específicas de los clientes, maximizando así el rendimiento de la GPU y los ASIC y reduciendo el consumo de energía para la transferencia de datos.
El desarrollo de la memoria DRAM “AI-D” demuestra el compromiso con el avance tanto de la compatibilidad como del rendimiento. Esto incluye:
- “AI-D O (Optimización)” – Una DRAM de bajo consumo y alto rendimiento destinada a reducir los costes totales de propiedad y mejorar la eficiencia operativa.
- “AI-D B (Breakthrough)” – Una solución que ofrece memoria de ultra alta capacidad con capacidades de asignación versátiles.
- “AI-D E (Expansión)” – Ampliando las aplicaciones de DRAM a los sectores de robótica, movilidad y automatización industrial.
Aunque estas innovaciones aún tardarán algunos años en llegar, los avances inminentes prometen revolucionar el panorama tecnológico, haciendo que la espera valga la pena.
Fuente de la noticia: Harukaze5719
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