SK Hynix stellt weltweit erste 12-Layer-HBM4-Muster mit 36 GB Kapazität und 2 TB/s Datenrate vor, plus 12-Hi HBM3e- und SOCAMM-Demonstrationen

SK Hynix stellt auf der GTC 2025 Speicherlösungen der nächsten Generation vor

SK Hynix hat mit der Ankündigung seiner innovativen 12-Hi HBM3E- und SOCAMM-Speicherprodukte sowie der weltweit ersten Muster des 12-Hi HBM4-Speichers für Schlagzeilen gesorgt. Diese Entwicklungen sind Teil des anhaltenden Engagements des Unternehmens, die Grenzen leistungsstarker Speicherlösungen für fortschrittliche Computerhardware, insbesondere in den Bereichen KI und Rechenzentren, zu erweitern.

Die neuesten Angebote von We Hynix sollen während der Veranstaltung GTC 2025 vorgestellt werden, die vom 17.bis 21. März in San Jose, Kalifornien, stattfindet. Sie versprechen, die Landschaft des Hochleistungsrechnens neu zu gestalten.

12-Hi HBM-Speichermodelle — Bildquelle: SK Hynix

Fortschritte in der KI-Speichertechnologie

In einem zunehmend wettbewerbsintensiven Markt, der von Giganten wie Samsung und Micron dominiert wird, hat We Hynix mit der Entwicklung des SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) für NVIDIAs leistungsstarke KI-Prozessoren einen neuen Schritt nach vorne gemacht. Das neue SOCAMM nutzt die Technologie des CAMM-Speicherstandards und bietet eine stromsparende DRAM-Lösung, die Speicherkapazität und Leistung für KI-Workloads deutlich verbessert.

Die Partnerschaft mit NVIDIA, insbesondere im Hinblick auf den GB300-KI-Chip, verschafft We Hynix eine starke Position gegenüber seinen Konkurrenten und steigert die Kapazitäten beider Unternehmen, intensive KI-Prozesse effizient abzuwickeln.

SK Hynix HBM4-Speicherbeispiele — Bildquelle: SK Hynix

Wichtige Führungskräfte auf der GTC 2025 anwesend

Auf der GTC-Veranstaltung wird das Führungsteam von We Hynix seine neuesten Fortschritte präsentieren, darunter namhafte Persönlichkeiten wie CEO Kwak Noh-Jung, Präsident Juseon Kim und Leiter Global S&M Lee Sangrak.

SK Hynix beabsichtigt, die Vorbereitungen für die Massenproduktion von 12-schichtigen HBM4-Produkten in der zweiten Jahreshälfte abzuschließen und so seine Position auf dem Markt für KI-Speicher der nächsten Generation zu stärken.

Die ausgestellten 12-schichtigen HBM4-Muster zeichnen sich durch die branchenführende Kapazität und Geschwindigkeit aus, die für KI-Speicherprodukte entscheidend ist.

Dieses bahnbrechende Produkt erreicht erstmals eine Bandbreite, die die Verarbeitung von über 2 Terabyte Daten pro Sekunde ermöglicht. Dies entspricht der Übertragung von über 400 Full-HD-Filmen (je 5 GB) in nur einer Sekunde und übertrifft die Geschwindigkeit seines Vorgängers HBM3E um mehr als 60 %.

Darüber hinaus nutzt We Hynix das fortschrittliche MR-MUF-Verfahren, um eine beispiellose Kapazität von 36 GB zu erreichen – die höchste unter den 12-lagigen HBM-Produkten. Dieses Verfahren erhöht nicht nur die Produktstabilität, sondern verringert auch Chipverzug und sorgt für eine bessere Wärmeableitung.

Zukunftsausblick: Massenproduktion und Entwicklungspläne

Neben der Präsentation des hochmodernen 12-Hi HBM4-Speichers, der sich derzeit in der Entwicklung befindet, plant We Hynix, führende Kunden wie NVIDIA zu bedienen, die diesen Speicher in ihre Rubin-GPUs integrieren werden. Der 12-Hi HBM4 soll bis zu 36 GB pro Stack mit beeindruckenden Datenraten von bis zu 2 TB/s liefern.

Die Massenproduktion dieser fortschrittlichen Speicherlösung soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 beginnen. Dabei wird der 3-nm-Prozessknoten von TSMC eingesetzt, um Spitzenleistung und Effizienz zu erzielen.

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