SK Hynix stellt 3Gb DDR5 „A-Die“-Speicherchips der zweiten Generation mit AKBD-Bin vor, was eine native Geschwindigkeit von 7200 MT/s anzeigt

3-GB-A-Die-Speicher der zweiten Generation auf Facebook entdeckt; könnte native JEDEC-Geschwindigkeit von 7200 MT/s bieten

Eine aktuelle Entdeckung auf Facebook enthüllt die zweite Generation von 3-GB-A-Die-Speicherchips, gekennzeichnet durch die Bezeichnung X021 und den Teilecode „AKBD“.Laut Erkenntnissen von @unikoshardware deutet diese neue Bezeichnung auf eine Nachfolge der bestehenden 3-GB-M-Die-Variante hin, die ein fester Bestandteil früher DDR5-Speichermodule war.

SK Hynix verwendet eine systematische Namenskonvention, bei der Kombinationen wie EB, GB und HB mit JEDEC-Geschwindigkeiten von 4800, 5600 bzw.6400 MT/s korrelieren. Dieser Logik folgend, deutet die Einführung der Bezeichnung „KB“ auf eine erwartete Geschwindigkeit von 7200 MT/s für den kommenden Speicher hin und unterstreicht damit die Fortschritte in der DDR5-Technologie.

SK Hynix H5CG08KBD-Speicherchip über einer Tastatur. — Bildnachweis: Facebook

Diese Entwicklung steht im Einklang mit Intels strategischer Roadmap, da sowohl die Arrow Lake Refresh- als auch die Panther Lake-Prozessoren DDR5-Geschwindigkeiten von bis zu 7200 MT/s unterstützen sollen, was eine deutliche Verbesserung gegenüber den aktuellen Standards DDR5-5600 (Raptor Lake) und DDR5-6400 (Arrow Lake) darstellt. Dies deutet darauf hin, dass die A-Die-Chips möglicherweise zum Rückgrat von Hochleistungs-Speicherkits für Intel-CPUs der nächsten Generation werden.

Ein Nutzer hat jedoch einen kritischen Punkt bezüglich der Modulkonstruktion angesprochen. Das vermutete 8-Lagen-PCB-Design könnte die Stabilität bei erhöhten Speichergeschwindigkeiten beeinträchtigen. Obwohl diese ersten Muster von We Hynix die neuen A-Die-ICs präsentieren, ist es bei 8-Lagen-PCBs typischerweise schwierig, die Stabilität über 8000 MT/s hinaus aufrechtzuerhalten, vor allem aufgrund von Einschränkungen bei der Signalintegrität und der Stromversorgung.

Im Gegensatz dazu verwenden leistungsstärkere DDR5-RAM-Kits häufig 10- oder sogar 12-lagige Leiterplatten, die klarere Signalwege bieten, die für höhere Speichergeschwindigkeiten unerlässlich sind. Enthusiasten haben bereits gezeigt, dass die 12.000-MT/s-Schwelle überschritten werden kann, einige haben kürzlich sogar offiziell die 13.000-MT/s-Marke überschritten. Damit die neuen A-Die-„AKBD“-Chips von We Hynix ihr volles Potenzial entfalten können, müssen Hersteller möglicherweise diese fortschrittlichen Leiterplattentechnologien einsetzen.

Spezifikation	Details
Matrizentyp	SK Hynix 3Gb A-Die (2. Generation)
Markierung	X021
Teilenummer	AKBD
Native Geschwindigkeit (Spekuliert)	7200 MT/s (JEDEC)
Plattformkompatibilität	Arrow Lake Erfrischung, Panther Lake