SK hynix hat eine ambitionierte Technologie-Roadmap vorgestellt, die bis über das Jahr 2029 hinausreicht und Fortschritte bei HBM5, GDDR7-next, DDR6 und revolutionären 4D-NAND-Lösungen mit über 400 Schichten beinhaltet.
SK hynix‘ Roadmap für DRAM und NAND der nächsten Generation: Wichtige Entwicklungen für 2029-2031
Vorschau auf den We AI Summit 2025 – Roadmap für DRAM & NAND (2026–2028)
Im Vorfeld der Jahre 2026–2028 wird Wehynix HBM4 mit 16-Hi-Konfigurationen und HBM4E in 8/12/16-Hi-Varianten sowie eine maßgeschneiderte HBM-Lösung einführen. Diese Initiative zielt darauf ab, die Speicherleistung deutlich zu steigern.

Die innovative, kundenspezifische HBM-Lösung verlagert den HBM-Controller auf den Basischip und optimiert so die Integration verschiedener IP-Komponenten wie Protokolle. Dieser strategische Schritt ermöglicht es GPU- und ASIC-Herstellern, die für Rechenprozesse verfügbare Siliziumfläche zu vergrößern. Darüber hinaus soll dieses kundenspezifische Design den Stromverbrauch der Schnittstellen senken und die Effizienz steigern. In Zusammenarbeit mit TSMC treibt Wehynix die Entwicklung dieser HBM-Lösung der nächsten Generation voran.

NAND-Entwicklungen und zukünftige Ausrichtungen
Im NAND-Bereich stellt Wehynix Standardlösungen wie PCIe Gen5 eSSD mit Kapazitäten von über 245 TB+ unter Verwendung der QLC-Technologie sowie PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0 und KI-optimierte „AI-N“NAND-Lösungen vor.
Zukunftserwartungen für Grafik- und Speichertechnologien
Der kommende GDDR7-Next-Standard deutet auf eine Entwicklungslücke bei dedizierten Grafikkarten hin. Die anfängliche Markteinführung von GDDR7 wird auf 30–32 Gbit/s begrenzt sein, mit einem Maximum von 48 Gbit/s. Angesichts des prognostizierten Potenzials dieses Standards ist eine flächendeckende Nutzung der maximalen Kapazität voraussichtlich erst um 2027–2028 zu erwarten.
Darüber hinaus deuten die geplanten Einführungen von DDR6 zwischen 2029 und 2031 darauf hin, dass Benutzer herkömmlicher Desktop- und Laptop-PCs in den nächsten Jahren keine Verbesserungen über DDR5 hinaus erwarten sollten.


Flash-Speicher mit hoher Bandbreite sind bestens geeignet, die aufkommenden Anforderungen an KI-Inferenz für die nächste Generation von Personalcomputertechnologien zu erfüllen, und es wird spannend sein, seine praktischen Anwendungen und seine Effektivität in realen Szenarien zu beobachten.
Vollständige KI-Speicherpalette
– Bei den aktuellen Speicherlösungen steht die Rechenleistung im Vordergrund, doch die Zukunft verschiebt sich hin zu einer Diversifizierung der Rolle des Speichers, um die Nutzung von Rechenressourcen zu verbessern und Engpässe bei KI-Inferenzen zu beheben.
– Da der KI-Markt zunehmend auf Effizienz und Optimierung setzt, wird die Weiterentwicklung von HBM hin zu kundenspezifischen Produkten auf die spezifischen Bedürfnisse der Kunden eingehen und so die Leistung von GPU und ASIC maximieren, während gleichzeitig der Stromverbrauch bei der Datenübertragung reduziert wird.
Die Entwicklung von „AI-D“-DRAM verdeutlicht das Engagement für die Verbesserung von Kompatibilität und Leistung. Dies umfasst:
- „AI-D O (Optimization)“ – Ein energiesparender, leistungsstarker DRAM, der darauf abzielt, die Gesamtbetriebskosten zu senken und die betriebliche Effizienz zu steigern.
 - „AI-D B (Breakthrough)“ – Eine Lösung, die Speicher mit extrem hoher Kapazität und vielseitigen Allokationsmöglichkeiten bietet.
 - „AI-D E (Expansion)“ – Erweiterung der DRAM-Anwendungen in die Bereiche Robotik, Mobilität und industrielle Automatisierung.
 
Auch wenn diese Innovationen noch einige Jahre entfernt sind, versprechen die bevorstehenden Fortschritte eine Revolution der Technologielandschaft, sodass sich das Warten lohnt.
Nachrichtenquelle: Harukaze5719
		  
		  
		  
		  
Schreibe einen Kommentar