SK hynix entwickelt Speicherlösungen mit hoher Bandbreite (HBS) mit gestapelten DRAM- und NAND-Chips zur Verbesserung der KI-Leistung in Smartphones und Tablets

SK hynix revolutioniert die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit durch das Stapeln von bis zu 16 DRAM- und NAND-Chipschichten mithilfe einer innovativen Technologie namens Vertical Wire Fan-Out (VFO).Dieser Fortschritt ist entscheidend für die Leistungssteigerung verschiedenster elektronischer Geräte.

VFO verbessert die Effizienz der Datenübertragung

Wie ETNews berichtet, hängt der Erfolg von High Bandwidth Storage (HBS) maßgeblich von der VFO-Gehäusetechnik ab. Diese 2023 von Wehynix eingeführte Technologie verbindet DRAM- und NAND-Chipstapel in einer geraden Anordnung anstatt durch herkömmliches Drahtbonden. Dadurch werden Datenübertragungsverluste minimiert und die Datenübertragungseffizienz erhöht, was insbesondere angesichts der zunehmenden Verbreitung generativer KI in Smartphones und Tablets relevant ist.

SK Hynix entwickelt Speicher mit hoher Bandbreite, um die KI-Leistung in Smartphones und Tablets zu steigern. — Implementierung von Hochbandbreitenspeichern in modernen Geräten.

Die Vorteile von VFO sind bemerkenswert. Durch die deutliche Reduzierung der Verdrahtungslängen und die Minimierung von Signalverlusten und -verzögerungen ermöglicht VFO eine größere Anzahl von I/O-Anschlüssen. Diese Kombination von Verbesserungen führt zu einer signifikanten Steigerung der Datenverarbeitungsleistung. HBS ist für die nahtlose Zusammenarbeit mit Smartphone-Chipsätzen konzipiert, die in die Hauptplatine des Geräts integriert werden. Obwohl Details zu unterstützten System-on-Chips (SoCs) noch rar sind, wird erwartet, dass der Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro sowohl LPDDR6- als auch UFS 5.0-Technologien unterstützt und sich somit als vielversprechender Kandidat für HBS erweist.

Kostenfolgen von Hochbandbreitenspeichern für Hersteller

Einer der größten Vorteile von HBS sind die im Vergleich zu High Bandwidth Memory (HBM) reduzierten Herstellungskosten. Anders als HBM, das die Through Silicon Via (TSV)-Technologie benötigt, bei der der Chip physisch durchdrungen wird, umgeht HBS diese Notwendigkeit. Dies führt zu höheren Produktionsausbeuten und geringeren Gesamtkosten, was für Hersteller, die diese Speicherlösung implementieren möchten, besonders attraktiv sein dürfte.

Im Gegensatz dazu plant Apple Berichten zufolge, HBM und TSV für seine kommenden Geräte zu nutzen, um robustere KI-Funktionen lokal auf dem iPhone zu ermöglichen. Vor diesem Hintergrund überrascht es nicht, dass Apple bereits HBS als mögliche Speicheroption für zukünftige Modelle untersucht.

Weitere Einzelheiten finden Sie im ETNews- Bericht.

Weitere Informationen und Bilder finden Sie auf der Website von Wccftech.