SK hynix sorgt mit seinen ehrgeizigen Plänen zur Einführung der 1c-DRAM-Technologie für Schlagzeilen. Dieser innovative Ansatz soll die Leistungsstandards sowohl von DDR5- als auch von HBM-Produkten erhöhen und das Unternehmen als Vorreiter auf dem Markt für Speicherchipsätze positionieren.
SK Hynix nutzt EUV für DRAM-Technologien der nächsten Generation, um Erträge und Leistung zu steigern
Diese strategische Initiative dürfte das Angebot von We hynix im Consumer- und HBM-Speichersektor deutlich erweitern. Noch wichtiger ist, dass sie den Weg für Fortschritte bei DRAM-Technologien der nächsten Generation ebnet, die voraussichtlich High-NA-EUV-Methoden beinhalten werden.
Für diejenigen, die mit der Extrem-Ultraviolett-Lithografie (EUV) nicht vertraut sind, ist es wichtig zu wissen, dass diese Technik komplexe Prozesse umfasst. EUV arbeitet mit einer präzisionsgesteuerten Wellenlänge von 13, 5 nm und zielt darauf ab, komplexe Schaltkreisprobleme zu lösen, indem es die Erstellung feinerer Strukturen ermöglicht und gleichzeitig den Bedarf an mehreren Strukturierungsschritten minimiert.
Die erwartete Einführung von 1c DRAM, insbesondere durch die Integration in HBM4, verspricht in naher Zukunft erhebliche Leistungssteigerungen.
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