SK hynix bringt mobilen DRAM mit 3,5-fach verbesserter Wärmeleitfähigkeit auf den Markt, um Leistungseinbußen bei On-Device-KI und darüber hinaus entgegenzuwirken

Fortschritte in der mobilen DRAM-Technologie für verbesserte Smartphone-Leistung

Da die Nachfrage nach geräteinternen KI-Anwendungen steigt, entwickeln Smartphone-DRAM- und Speicherhersteller aktiv schnellere und effizientere Chips, um die Leistung zu steigern und Probleme aktueller Technologien zu minimieren. Vorreiter ist We hynix, das Samsung kürzlich in verschiedenen Aspekten der Speichertechnologie überholt hat. Das Unternehmen hat einen innovativen mobilen DRAM vorgestellt, der mit einer bahnbrechenden „Molding Compound“ ausgestattet ist, um die Überhitzungsprobleme moderner Smartphones zu bekämpfen. Bemerkenswerterweise behauptet We hynix, dass dieser neue Speicherchip eine um 350 % verbesserte Wärmeleitfähigkeit aufweist.

Technologische Innovationen gegen Überhitzung

In bestimmten Gerätearchitekturen ist der mobile DRAM direkt auf dem Chipsatz montiert, was bei Hochleistungsaufgaben zu erheblichen Herausforderungen führt. Die dabei entstehende übermäßige Wärme kann zu Leistungseinbußen führen – ein Problem, mit dem die meisten Smartphone-Hersteller konfrontiert sind. Diese Designwahl ist jedoch beliebt, da sie die Platzeffizienz maximiert und die Datenübertragung zwischen DRAM und Chipsatz durch die verkürzte Übertragungsstrecke der Daten beschleunigt.

Brancheneinblicke von We hynix

Lee Gyu-jei, Leiter der Verpackungsproduktentwicklung bei We hynix, bezeichnet die Verwendung der High-K-Epoxid-Formmasse als bedeutenden Meilenstein. Laut Gyu-jei verbessert diese innovative Lösung nicht nur die Leistung, sondern lindert auch verschiedene Probleme, mit denen Nutzer von Flaggschiff-Smartphones konfrontiert sind.

„Es handelt sich um einen bedeutenden Erfolg, der über eine einfache Leistungssteigerung hinausgeht, da er die Unannehmlichkeiten behebt, die viele Nutzer von Hochleistungs-Smartphones möglicherweise hatten. Wir sind entschlossen, unsere technologische Führungsposition im Markt für mobile DRAMs der nächsten Generation mit unseren technologischen Materialinnovationen zu festigen.“

Zukunftsaussichten für Mobile DRAM

Durch die Integration fortschrittlicher Verbindungen in die herkömmliche Epoxid-Formmasse hat We hynix die Wärmemanagementfunktionen deutlich verbessert. Obwohl kein konkreter Zeitplan für die Einführung dieser fortschrittlichen mobilen DRAM-Chips bekannt gegeben wurde, spekulieren Branchenexperten, dass diese Technologie bis 2026 in Flaggschiff-Smartphones integriert sein könnte.

Diese Entwicklung unterstreicht einen breiteren Trend in der Halbleiterindustrie, bei dem die Berücksichtigung thermischer Einschränkungen von entscheidender Bedeutung ist, um die Leistung von Geräten zu optimieren, die zunehmend auf künstliche Intelligenz und hocheffiziente Computer angewiesen sind.

Ausführlichere Informationen zu diesem Durchbruch in der mobilen DRAM-Technologie erhalten Sie bei Wccftech.

SK hynix bringt mobilen DRAM mit 3,5-fach verbesserter Wärmeleitfähigkeit auf den Markt, um Leistungseinbußen bei On-Device-KI und darüber hinaus entgegenzuwirken

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