SK hynix beginnt mit der Massenproduktion von 321-Layer-QLC-NAND-Flash für PCs mit innovativer 32-Layer-Stacking-Technologie

SK hynix hat offiziell den Beginn der Massenproduktion seiner bahnbrechenden 321-Schicht-QLC-NAND-Flash-Speicherlösung angekündigt, die über eine bemerkenswerte Stapelkapazität von bis zu 32 Schichten verfügt.

Enthüllung des 321-Layer-QLC-NAND-Flash von We hynix: Eine neue Ära in der Speichertechnologie

Diese Entwicklung stellt einen bedeutenden Meilenstein dar, da erstmals weltweit über 300 Schichten mit QLC-Technologie (Quad-Level Cell) implementiert wurden. Damit wird ein beispielloser Standard für die NAND-Flash-Dichte gesetzt. Das Unternehmen plant, dieses innovative Produkt in der ersten Hälfte des kommenden Jahres auf den Markt zu bringen, vorbehaltlich der erfolgreichen Validierung durch globale Kunden.

„Als Full-Stack-Anbieter von KI-Speichern werden wir einen großen Sprung nach vorne machen, entsprechend dem explosionsartigen Wachstum der KI-Nachfrage und den hohen Leistungsanforderungen im Rechenzentrumsmarkt.“

Vorder- und Rückansicht des SK Hynix-Speicherchips, Modell H25T4QM88G.

Um potenziellen Leistungsproblemen entgegenzuwirken, die bei NAND-Technologien mit großer Kapazität häufig auftreten, hat We hynix sein Design verbessert, indem die Anzahl der Ebenen (unabhängige Betriebseinheiten innerhalb eines Chips) von 4 auf 6 erhöht wurde. Diese Änderung ermöglicht nicht nur eine stärkere Parallelverarbeitung, sondern verbessert auch die gleichzeitigen Lesefunktionen erheblich.

Die durch den 321-Layer-QLC-NAND erzielten Fortschritte ermöglichen eine höhere Kapazität und bessere Leistungskennzahlen im Vergleich zu früheren QLC-Versionen. Insbesondere die Datenübertragungsgeschwindigkeiten haben sich verdoppelt: Die Schreibleistung wurde um bis zu 56 % und die Leseleistung um 18 % verbessert. Darüber hinaus konnte die Schreibleistungseffizienz um über 23 % gesteigert werden – ein entscheidender Faktor für die Wettbewerbsfähigkeit in KI-orientierten Rechenzentren, in denen Energieeinsparung unerlässlich ist.

Zunächst plant We hynix, seine 321-Layer-NAND-Technologie in PC-SSDs zu integrieren. Anschließend ist ein Einsatz in Enterprise-SSDs (eSSDs) für Rechenzentren und Universal Flash Storage (UFS)-Lösungen für Smartphones geplant.

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