Samsung HBM4E verspricht beeindruckende 3,25 TB/s Bandbreite; fast 2,5-mal schneller als HBM3E und steigert die KI-Rechenleistung

Auf dem jüngsten Global Summit des Open Compute Project (OCP) präsentierte Samsung bedeutende Fortschritte im Bereich High Bandwidth Memory (HBM), insbesondere bei der kommenden HBM4E-Technologie, und stellte damit eine Vorreiterrolle in der Speicherherstellung vor. Diese neue Speichergeneration verspricht deutliche Verbesserungen gegenüber ihren Vorgängern.

Samsungs HBM4E: Ein Sprung in der Speichertechnologie mit unübertroffener Geschwindigkeit

Samsung hat sein HBM-Angebot aktiv weiterentwickelt und kürzlich wichtige Verträge mit großen Playern wie NVIDIA und AMD abgeschlossen. Auf der OCP-Veranstaltung beleuchtete das Unternehmen die zukünftige Entwicklung seiner HBM-Serie und betonte die beeindruckenden Spezifikationen sowohl des HBM4 als auch der nächsten Generation des HBM4E. Insbesondere soll der HBM4E Pin-Geschwindigkeiten von 13 Gbit/s pro Stack erreichen, was einer erstaunlichen Bandbreite von 3, 25 TB/s entspricht und eine deutliche Leistungssteigerung darstellt.

Bei einer Präsentation wurden Samsung HBM4- und HBM4E-Speicher vorgestellt, wobei Spezifikationen wie Dichte pro Slice und Änderung des Logikprozesses hervorgehoben wurden. — Details zum Samsung HBM4E | Bildnachweis: Sedaily

Darüber hinaus überzeugt das HBM4E-Modul mit einer beeindruckenden Energieeffizienz und soll fast doppelt so effizient sein wie das bestehende HBM3E. Samsungs HBM4-Prozess setzt zudem neue Maßstäbe und erreicht eine Pin-Geschwindigkeit von 11 Gbit/s und übertrifft damit etablierte Standards von Organisationen wie JEDEC. Dieser Durchbruch entspricht NVIDIAs Nachfrage nach verbesserten HBM4-Lösungen zur Leistungssteigerung seiner Rubin-Architektur. Laut lokalen Medienberichten hat Samsung bei dieser Entwicklung Pionierarbeit geleistet.

Samsung Electronics hinkte im HBM3E-Sektor bislang seinen Konkurrenten hinterher und strebt seit Beginn der HBM4-Entwicklung intensiv nach höheren Bandbreitenkapazitäten. Da der Geschwindigkeitswettbewerb im HBM4-Sektor kurz vor dem Erfolg steht, verfolgt das Unternehmen die Strategie, die Dynamik bei der Weiterentwicklung zur nächsten Generation beizubehalten.– Sedaily

Neben Leistungssteigerungen konzentriert sich Samsung auch auf die Etablierung einer wettbewerbsfähigen Preisstruktur für HBM4-Lieferungen an Unternehmen wie NVIDIA. Da fortschrittliche Halbleitertechnologie (4 nm) ein integraler Bestandteil von HBM4 ist, ermöglichen Samsungs eigene Fertigungskapazitäten eine bessere Kontrolle der Gewinnspanne bei der Produktion dieser Module.

Die Markteinführung von HBM4E ist für Anfang 2026 geplant, zeitgleich mit dem Zeitplan für die Massenproduktion der HBM4-Technologie.

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