Samsung Electronics möchte in den aufstrebenden 3D-DRAM-Markt einsteigen und präsentiert dazu Spitzentechnologien, die den Marktfortschritt in der Zukunft vorantreiben werden.
Samsung ist Vorreiter bei 3D-DRAM-Technologie und wird bis Ende des Jahrzehnts neue Lösungen auf den Markt bringen
Obwohl es in der DRAM-Branche eine Phase relativer Ruhe gab, waren die Unternehmen in den letzten Quartalen aufgrund hoher Lagerbestände und geringer Verbrauchernachfrage weiterhin mit den Herausforderungen einer angespannten Finanzlage konfrontiert.
Da sich die Situation nun verbessert hat, konzentrieren sich die Bemühungen nun auf die Forschung und Entwicklung der nächsten Generation. Samsung hat eine eigene 3D-DRAM-Implementierung angekündigt, die voraussichtlich im nächsten Jahr umgesetzt wird.
Nach Durchsicht der Präsentationsfolien ist es offensichtlich, dass die DRAM-Industrie auf Kompressionslinien unter 10 nm umsteigt. Um die Stagnation bei der Entwicklung fortschrittlicher DRAM-Technologien zu überwinden, beabsichtigt Samsung, zwei neuartige Techniken zu implementieren, Vertical Channel Transistors und Stacked DRAM, die Variationen bei der Komponentenplatzierung beinhalten. Diese innovativen Methoden führen letztendlich zu einer geringeren Geräteflächennutzung und damit zu einer verbesserten Leistung.
In ähnlicher Weise beabsichtigt Samsung, die Speicherkapazitäten durch den Einsatz des gestapelten DRAM-Konzepts zu verbessern. Dieser Ansatz ermöglicht es dem Unternehmen, ein höheres Speicher-zu-Fläche-Verhältnis zu erreichen und die Chipkapazitäten in Zukunft möglicherweise auf 100 GB zu erhöhen. Es wird prognostiziert, dass der 3D-DRAM-Markt bis 2028 100 Milliarden US-Dollar erreichen könnte. Samsungs erste Entwicklungen deuten darauf hin, dass das koreanische Unternehmen in Zukunft die Führung in der DRAM-Branche übernehmen könnte, obwohl es für eine solche Vorhersage noch zu früh ist.
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