Micron bringt ersten 1γ-DRAM-Knoten auf den Markt, um die DDR5-Leistung zu steigern

Micron Technology hat mit der Einführung seines bahnbrechenden DDR5-Speichers der sechsten Generation auf Basis des 10-nm-DRAM-Knotens Schlagzeilen gemacht. Diese Entwicklung positioniert Micron an der Spitze der Industrie- und Verbrauchermärkte.

Verbesserte Effizienz und Leistung durch Microns DRAM der sechsten Generation

Pressemitteilung : In einer spannenden Ankündigung gab Micron Technology, Inc.bekannt, dass es als erstes Unternehmen der Branche mit der Auslieferung von Mustern seines 1γ (1-gamma), DDR5-Speichers der sechsten Generation, begonnen hat. Dieser DRAM der nächsten Generation ist auf fortschrittliche CPUs zugeschnitten und wird zunächst an ausgewählte Kunden und Ökosystempartner verteilt. Aufbauend auf seinen früheren Fortschritten mit den Knoten 1α (1-alpha) und 1β (1-beta) ist Micron bereit, die nächste Welle des Computings zu unterstützen, die von der Cloud-Infrastruktur bis hin zu industriellen Anwendungen sowie Verbrauchergeräten und Edge-KI-Technologien wie Smartphones und intelligenten Fahrzeugen reicht.

Bei der ersten Bereitstellung des Micron 1γ DRAM-Knotens wird 16 Gb DDR5 DRAM genutzt, dessen Integration schrittweise im gesamten Speicherportfolio von Micron ausgeweitet wird. Dieser strategische Schritt trägt dem wachsenden Bedarf der Branche an leistungsstarken, energieeffizienten Speicherlösungen Rechnung, insbesondere in KI-Anwendungen. Dieses 16 Gb DDR5-Produkt bietet beeindruckende Geschwindigkeiten von bis zu 9200 MT/s, was einer bemerkenswerten Geschwindigkeitssteigerung von 15 % und einer Verringerung des Stromverbrauchs um mehr als 20 % im Vergleich zu seinem Vorgänger entspricht.

Warum Microns 1γ-DRAM-Knoten so wichtig ist

Die Nachfrage nach fortschrittlichen Speicherlösungen ist mit dem Aufstieg der KI in Rechenzentren und am Netzwerkrand stark gestiegen. Microns Umstellung auf den 1γ-DRAM-Knoten bewältigt mehrere kritische Herausforderungen, denen seine Kunden gegenüberstehen:

Verbesserte Leistung: Der auf Micron 1γ basierende DRAM verbessert die Leistung und ermöglicht höhere Rechenkapazitäten über verschiedene Speicherprodukte hinweg, was für zukünftige KI-Workloads von entscheidender Bedeutung ist.
Energieeinsparungen: Dank der High-K-Metal-Gate-CMOS-Technologie der nächsten Generation und Designverbesserungen erreicht der 1γ-Knoten eine Reduzierung des Stromverbrauchs um über 20 %, was zu einem verbesserten Wärmemanagement führt.
Erhöhte Bitdichte: Durch die Verwendung von EUV-Lithografie und innovativen Designverbesserungen erreicht der 1γ-Knoten im Vergleich zur vorherigen Generation eine um mehr als 30 % höhere Bit-pro-Wafer-Ausgabe und ermöglicht so eine effiziente Skalierung der Speicherversorgung.

Micron hat sein umfassendes Know-how in der DRAM-Technologie über mehrere Generationen hinweg genutzt, um den optimierten 1γ-Knoten zu entwickeln. Diese Innovation basiert auf CMOS-Durchbrüchen und nutzt die High-K-Metallgate-Technologie der nächsten Generation. Solche Fortschritte steigern die Transistorleistung, verbessern die Geschwindigkeit und ermöglichen erhebliche Energieeinsparungen und Skalierungsverbesserungen.

Durch die Integration modernster EUV-Lithografie zusammen mit Ätztechnologie mit hohem Aspektverhältnis und innovativen Designs bietet der 1γ-Knoten beispiellose Vorteile bei der Bitdichte. Die Entwicklung des 1γ-Knotens an mehreren globalen Produktionsstandorten unterstreicht Microns Engagement für technologischen Fortschritt und die Belastbarkeit der Lieferkette.

Transformationale Produkte von der Cloud bis zum Edge

Der 1γ-Knoten wird als grundlegende Technologie dienen, die das gesamte Speicherportfolio von Micron erweitert und sich auf verschiedene Sektoren auswirkt:

Rechenzentrum: 1γ-basierte DDR5-Speicherlösungen für Rechenzentren versprechen eine Leistungssteigerung von bis zu 15 % sowie eine verbesserte Energieeffizienz und ermöglichen so eine kontinuierliche Skalierung der Serverleistung für ein optimiertes Energie- und Wärmedesign bei zukünftigen Rack-Bereitstellungen.
Edge AI: Die 1γ Low-Power-DRAM-Lösungen sorgen nicht nur für höhere Energieeinsparungen, sondern bieten auch eine größere Bandbreite und verbessern so das Benutzererlebnis in Edge-AI-Anwendungen.
- KI-PCs: Die 1γ DDR5 SODIMMs verbessern die Leistung und senken gleichzeitig den Stromverbrauch um 20 %, wodurch die Akkulaufzeit effektiv verlängert und das Benutzererlebnis auf Laptops verbessert wird.
- Mobile Geräte: Mit der Einführung des 1γ LPDDR5X bleibt Micron führend im Bereich der mobilen Technologie und ermöglicht außergewöhnliche KI-Anwendungen am Rand.
- Automobilindustrie: Der 1γ LPDDR5X-Speicher verbessert Kapazität, Haltbarkeit und Leistung und erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 9600 MT/s.

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