Intel 18A-Prozess erreicht SRAM-Dichte vergleichbar mit TSMC N2; Team Blue bereitet sich auf ein bemerkenswertes Comeback vor

Jüngsten Berichten zufolge hat Intels 18A-Prozess eine SRAM-Dichte erreicht, die mit der N2-Technologie von TSMC vergleichbar ist – ein wichtiger Meilenstein, der Intels fortschreitende Halbleiterkompetenz unterstreicht.

Die Bedeutung des 18A-Prozesses von Intel und Innovationen wie BSPDN

Angesichts der fortschreitenden Entwicklung der Chiparchitektur von Intel wächst der Optimismus hinsichtlich der Zukunft des Unternehmens. Jüngste Diskussionen auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) zeigen, dass Intel und TSMC in Bezug auf die SRAM-Dichte eng beieinander liegen und dass bemerkenswerte Fortschritte erzielt wurden, die die Wettbewerbslandschaft der Halbleiterherstellung neu gestalten könnten.

Saß in @ieee_isscc Sitzung 29: SRAM

1. Artikel: $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM 2. Artikel: $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM 3. Artikel: @Mediatek 3nm TCAM 4. Artikel: @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM

Es ist ein Battle Royale.

— 𝐷𝑟.𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) 19. Februar 2025

Wenn wir uns eingehender mit den Möglichkeiten des 18A-Prozesses befassen, müssen wir unbedingt eine seiner bahnbrechenden Innovationen hervorheben: das Backside Power Delivery Network (BSPDN).Diese bahnbrechende Technologie verlagert die Stromversorgung von der Vorder- auf die Rückseite des Wafers, was zu einer verbesserten Energieeffizienz und verbesserten Signalintegrität führt – beides entscheidende Faktoren für die Leistung moderner Halbleiter.

Intel lockt angeblich TSMCs — Ein Intel-Fabrikmitarbeiter hält einen Wafer mit 3D-gestapelter Foveros-Technologie in einer Intel-Fertigungsanlage in Hillsboro, Oregon (Dezember 2023).Im Februar 2024 stellte Intel Intel Foundry vor und positionierte sich damit als weltweit erste Systemgießerei, die auf das KI-Zeitalter zugeschnitten ist und den Schwerpunkt auf Technologieführerschaft, Belastbarkeit und Nachhaltigkeit legt.(Quelle: Intel Corporation)

Die hochdichten Versionen von Intels 18A erreichen Berichten zufolge eine beeindruckende Makrobitdichte von 38, 1 Mb/mm² in großen Array-Konfigurationen. Obwohl Variationen in der Anordnung der SRAM-Zellen die Dichteergebnisse beeinflussen können, sind die Aussichten für den 18A-Prozess deutlich positiv. Um die Wirksamkeit dieser neuen Technologie vollständig beurteilen zu können, ist es jedoch wichtig, die tatsächliche Leistung der Chipproduktion, insbesondere die Ausbeute, zu überwachen.

Inzwischen hat TSMC auch bei seinem N2-Prozess Fortschritte gemacht und dank der Umstellung auf die Gate-All-Around (GAA)-Technologie eine Steigerung der SRAM-Dichte um 12 % verzeichnet. Die Verbesserungen bei Hochleistungs-SRAM weisen eine bemerkenswerte Dichtesteigerung von 18 % auf. Der Schlüssel zu dieser Verbesserung liegt in der Umstellung von herkömmlichen FinFET- auf N2-„Nanosheet“-Strukturen, die eine stärkere Anpassung und Präzision im Herstellungsprozess ermöglichen.

Der Konkurrenzkampf zwischen TSMC und Intel heizt sich auf und verspricht ein noch spannenderes Umfeld für Halbleiterinnovationen. Der ultimative Test dieser Fortschritte liegt jedoch in ihrer Integration in die Lieferkette und ihrer tatsächlichen Marktleistung.

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