台积电宣布了其创新的“2nm N2”技术令人兴奋的最新进展，展示了良率和性能指标的显著进步。
台积电“N2纳米片”技术变革性表现
人们对台积电 2nm 工艺的期待不断增长，因为这一新节点有望在性能和能效方面实现显著提升。台积电预计将于 2025 年下半年开始量产，在旧金山举行的 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM) 上，台积电在演讲中透露了最新见解，揭示了 2nm 与其前代工艺的比较。人们的注意力牢牢集中在尖端的“纳米片”技术上。
台积电报告称，其 2nm 工艺的性能提升了 15%，同时功耗降低了 30%。这些进步显著提高了节点的整体效率。此外，该工艺的晶体管密度提高了 1.15 倍，这一里程碑归功于全环绕栅极 (GAA) 纳米片晶体管和 N2 NanoFlex 架构的结合，该架构优化了各种逻辑单元的空间。
从传统的 FinFET 技术过渡到专门的 N2“纳米片”架构，台积电能够更好地控制电流。得益于纳米片的复杂设计，这一转变使制造商能够根据特定用例定制操作参数，纳米片由堆叠的窄硅带组成，每个硅带都被栅极完全包围。与 FinFET 实现相比，这种设计可以实现更精确的电流控制。
与 3nm 工艺及其变体相比，台积电的 N2 技术显示出显著的产能提升。这一实质性进展预计将吸引苹果和 NVIDIA 等行业领先企业，他们渴望利用这一创新工艺提供的代际优势。然而，这些升级的引入也将导致晶圆成本大幅增加，预计与 3nm 技术相比将上涨 10% 以上。
据悉，N2 晶圆的成本可能在 2.5 万至 3 万美元之间，这反映了台积电的定价策略，与 3nm 晶圆的约 2 万美元相比，价格有明显上涨。此外，考虑到初始良率和早期生产试验，整体产量最初可能相当有限，这表明将逐步采用这一先进工艺。
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