三星在提高其尖端 3nm 全栅极 (GAA) 制造工艺的良率方面遇到了重大挑战。这家韩国科技巨头最初的目标是，其第一代和第二代先进技术的良率达到 70%。然而，最近的报告显示，修订后的迭代良率停滞在令人沮丧的 20%，尤其是与台积电最近试产的 2nm 工艺相比，后者的良率高达 60%，具有竞争力。
台积电与三星合作的前景
鉴于台积电的成功，有关台积电协助三星接管部分 Exynos 生产线的讨论浮出水面。然而，消息人士表示，那些希望未来 Galaxy S 旗舰产品不再使用高通芯片组的人可能会感到失望，因为台积电和三星之间尚未达成任何协议。
半导体行业的传闻显示，三星一直在探索与多家代工厂合作生产其 Exynos 系列，寻求在不同技术之间共享能力。尽管这些讨论中没有明确提到台积电的名字，但它仍然是除三星之外少数几个拥有尖端半导体节点和制造设备必要渠道的实体之一。这样的合作关系本可以为三星提供优势，以克服其当前的产量障碍，这些障碍导致三星失去了包括高通在内的关键客户，高通已将重点转向骁龙 8 Elite Gen 2。
合作的挑战和风险
然而，据 X 上 @Jukanlosreve 的内部人士透露，台积电已决定不与三星合作批量生产 Exynos 处理器。台积电拒绝的原因似乎是可能泄露商业机密，这可能会让三星提高产量并在未来的半导体业务中获得巨大优势。
三星半导体发展的未来展望
尽管缺乏合作伙伴关系，但人们相信台积电不难获得 Exynos 订单——并且可以为及时交付收取额外费用。现在，三星必须利用其现有技术将其良率提高到更具竞争力的水平。值得注意的是，据报道，该公司已开始开发采用 2nm 工艺的新型片上系统 (SoC)，称为“Ulysses”。行业观察家将热切期待三星未来几个月的进展情况。
欲了解更详细的见解，请阅读@Jukanlosreve的原始资料。
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