最近的报告显示，中芯国际在追求先进芯片生产的过程中遇到了一些挑战，特别是由于缺乏尖端的极紫外 (EUV) 光刻设备。这一限制阻碍了该公司超越 7nm 技术节点的努力。据预测，中芯国际有望在 2025 年完成其 5nm 芯片的开发。
使用 DUV 设备的挑战
利用较旧的深紫外 (DUV) 光刻工具可能使中芯国际实现其 5nm 目标。然而，这种方法存在重大缺陷。值得注意的是，与竞争对手台积电 (TSMC) 相比，采用同类制造工艺，中芯国际的生产成本预计高出 50%。此外，预计中芯国际芯片的产量仅为台积电采用相同技术所实现产量的三分之一。
Kiwoom Securities 的一份报告（由消息人士 @Jukanlosreve 重点报道）强调了中芯国际 5nm 芯片的预期完成时间表。该公司在制造这些先进节点的过程中遇到了障碍，特别是在大规模生产采用基于 7nm 节点的麒麟 9020 的华为 Mate 70 系列方面。如果中芯国际成功实现其雄心勃勃的目标，它仍可能面临众多挑战。
如上所述，由于依赖较旧的 DUV 技术，中芯国际的 5nm 晶圆预计将产生高昂的成本，而该技术需要额外的图案化才能达到所需的光刻精度。价格上涨和产量下降共同为中芯国际在快速发展的半导体领域竞争创造了巨大的障碍。
中芯国际计划于2025年完成5纳米工艺的开发。
他们实现了非EUV的7nm（N+2）工艺的量产，并完成了5nm工艺的开发，以支撑华为Ascend 910C的量产。
中芯国际5nm工艺成本为……
— Jukanlosreve (@Jukanlosreve) 2025 年 3 月 26 日
未来前景和障碍
由于 DUV 技术的限制而引入的额外制造步骤不仅会延长 5nm 晶圆的生产时间，还可能导致缺陷产品发生率更高。一个关键因素是中芯国际能否开发自己的 EUV 技术，该技术目前处于试生产阶段，预计将于 2025 年第三季度投入运营。此外，与华为有关联的中国设备制造商 SiCarrier 正在积极探索 ASML 技术的替代方案，这可能有助于克服这些限制。
虽然中芯国际 5nm 晶圆增产的具体时间表尚不清楚，但 @Jukanlosreve 指出，华为计划在其 Ascend 910C AI 芯片中利用这项技术。此举旨在减少中国对 NVIDIA 产品的依赖。本地 EUV 机器的成功开发可能使中芯国际在未来能够追求更先进的半导体技术节点。我们将在未来几周内提供有关中芯国际 5nm 工艺进展的最新信息。
新闻来源：@Jukanlosreve
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