SK Hynix 在 GTC 2025 上推出下一代内存解决方案
SK Hynix 宣布推出创新的 12-Hi HBM3E 和 SOCAMM 内存产品，以及全球首批 12-Hi HBM4 内存样品，成为头条新闻。这些发展是该公司不断致力于突破先进计算硬件高性能内存解决方案极限的一部分，特别是在人工智能和数据中心领域。
We Hynix 的最新产品计划于 3 月 17 日至 3 月 21 日在加利福尼亚州圣何塞举行的 GTC 2025 活动期间展出，有望重塑高性能计算的格局。
人工智能记忆技术的进步
在竞争日益激烈、由三星和美光等巨头主导的市场中，We Hynix 通过为 NVIDIA 强大的 AI 处理器生产 SOCAMM（小型压缩附加内存模块）来提升自己的竞争力。新的 SOCAMM 利用源自 CAMM 内存标准的技术，提供低功耗 DRAM 解决方案，旨在显著提高 AI 工作负载的内存容量和性能。
与 NVIDIA 的合作，尤其是在 GB300 AI 芯片方面的合作，使 We Hynix 在竞争中占据优势地位，提升了两家公司有效处理密集 AI 流程的能力。
GTC 2025 的主要领导出席
在 GTC 活动上，We Hynix 的执行团队将展示他们的最新进展，其中包括首席执行官 Kwak Noh-Jung、总裁 Juseon Kim 和全球 S&M 负责人 Lee Sangrak 等知名人物。
SK海力士计划在今年下半年完成12层HBM4产品量产的准备，巩固其在下一代AI内存市场的地位。
此次展示的12层HBM4样品拥有对AI内存产品至关重要的业界领先的容量和速度。
该突破性产品首次实现了每秒处理数据量超过2TB的带宽，相当于一秒钟传输超过400部全高清电影（每部5GB），比上一代HBM3E的速度高出60%以上。
此外，We Hynix采用先进的MR-MUF工艺，实现了前所未有的36GB容量，是12层HBM产品中容量最高的。此工艺不仅增强了产品稳定性，还可以缓解芯片翘曲，促进更好的散热。
未来展望：量产与发展计划
除了展示目前正在开发的最先进的 12-Hi HBM4 内存外，We Hynix 还计划满足包括 NVIDIA 在内的领先客户的需求，这些客户将把这款内存集成到他们的 Rubin 系列 GPU 中。12-Hi HBM4 的容量高达每堆栈 36GB，数据速率高达 2TB/s。
该先进内存解决方案预计将于 2025 年下半年开始量产，采用台积电的 3nm 工艺节点实现尖端性能和效率。
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