SK 海力士最近因其 1c DRAM 模块实现的令人印象深刻的成品率而登上头条新闻，巩固了其在内存技术领域的强者地位。
SK海力士在1c DRAM技术上取得突破，重夺DRAM市场领先地位
随着行业将重点转向开发高带宽内存 4 (HBM4) 模块，这一进步尤为重要，预计这将开启计算能力的新时代。改进的技术有望提高一系列应用程序的处理速度和效率。
目前，We hynix 的 10nm 第六代 DRAM 已实现令人印象深刻的良品率，介于 80% 至 90% 之间。这标志着与之前报道的 2024 年下半年 60% 的良品率相比有了实质性的飞跃。虽然该公司的主要重点仍然是提高 HBM4 的产量，但“基于 1c”的 DDR5 内存解决方案可能不会在近期内进入市场。不过，消费者可以期待看到 HBM4 中实现的先进 DRAM 技术，尤其是预期的 HBM4E 版本，它有望实现更大的性能提升。
与此同时，竞争对手三星一直在开发自己的 1c DRAM 模块；然而，该公司在实现有竞争力的良率方面面临挑战。报告显示，他们正在重新评估其战略，以提高其 1c DRAM 产品的性能。相比之下，We hynix 处于领先地位，并将成为第一家开始大规模生产 HBM4 技术的制造商，从而扩大这个充满活力的市场的竞争差距。
展望未来，DRAM 技术的快速发展（尤其是 We Hynix 的领先）预示着计算领域的变革时代即将到来。这对高性能计算应用和数据中心的影响是巨大的，速度、效率和能耗方面的潜在提升即将到来。
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