Facebook 上发现第二代 3Gb A-Die 内存；可实现 7200 MT/s 的原生 JEDEC 速度
Facebook 上最近曝光了第二代 3Gb A-Die 内存芯片，其标签为 X021，部件代码为“AKBD”。根据 @unikoshardware 的见解，这一新名称表明其将继承现有的 3Gb M-die 版本，而后者一直是早期 DDR5 内存模块的主要驱动力。
SK海力士采用了系统化的命名规则，EB、GB和HB等组合分别对应JEDEC规定的4800、5600和6400 MT/s的速度。遵循这一逻辑，“KB”标识的引入表明即将推出的内存预计速度将达到7200 MT/s，凸显了DDR5技术的进步。
这一进展与英特尔的战略路线图相呼应，因为 Arrow Lake Refresh 和 Panther Lake 处理器都计划支持高达 7200 MT/s 的 DDR5 速度，这比目前 Raptor Lake 的 DDR5-5600 和 Arrow Lake 的 DDR5-6400 标准有了显著提升。这表明 A-Die 芯片有可能成为为下一代英特尔 CPU 设计的高性能内存套件的支柱。
然而，一位用户提出了关于该模块结构的一个关键问题。疑似8层PCB设计可能会影响内存高速运行时的稳定性。尽管We Hynix的这些初始样品展示了全新的A-Die IC，但8层PCB在保持8000 MT/s以上的稳定性方面通常会面临挑战，这主要是由于信号完整性和功率传输方面的限制。
相比之下，性能更高的 DDR5 RAM 套件通常采用 10 层甚至 12 层 PCB，这些 PCB 可提供更清晰的信号路径，这对于实现更高的内存速度至关重要。一些发烧友已经展示了超越 12, 000 MT/s 阈值的能力，有些甚至最近正式突破了 13, 000 MT/s。为了充分发挥 We Hynix 全新 A-Die “AKBD” 芯片的潜力，制造商可能需要部署这些先进的 PCB 技术。
| 规格 | 细节 |
|---|---|
| 模具类型 | SK Hynix 3Gb A-Die（第二代） |
| 标记 | X021 |
| 零件代码 | AKBD |
| 原生速度（推测） | 7200 MT/s（JEDEC） |
| 平台兼容性 | 箭湖刷新，豹湖 |
发表回复