SK 海力士公布了一项雄心勃勃的技术路线图，该路线图延伸至 2029 年以后，其中包括 HBM5、GDDR7-next、DDR6 和革命性的 400+ 层 4D NAND 解决方案方面的进步。
SK海力士下一代DRAM和NAND路线图：2029-2031年的关键发展
We AI Summit 2025 预览——DRAM 和 NAND 路线图（2026-2028）
在2026-2028年之前，海力士计划推出16层HBM4和8/12/16层HBM4E配置的HBM4，以及定制的HBM解决方案。此举旨在显著提升内存性能。
这项创新的定制化HBM解决方案将HBM控制器重新分配到芯片基体上，优化了各种IP组件（例如协议）的集成。这一战略举措使GPU和ASIC制造商能够增加可用于计算的硅片面积。此外，这种定制化设计有望降低接口功耗，从而提高效率。威海力士正与台积电合作，朝着这一新一代HBM解决方案迈进。
NAND技术的发展与未来方向
在 NAND 方面，我们海力士推出了 PCIe Gen5 eSSD 等标准解决方案，其容量超过 245 TB+，采用 QLC 技术，以及 PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0 和 AI 增强型“AI-N”NAND 解决方案。
图形和内存技术的未来展望
即将推出的GDDR7-next表明独立显卡技术发展存在差距。GDDR7的初期推广速度将限制在30-32 Gbps，最高可达48 Gbps。考虑到该标准的预期潜力，其满负荷的广泛应用可能要到2027-2028年左右才能实现。
此外，DDR6 计划于 2029 年至 2031 年间推出，这意味着传统台式机和笔记本电脑用户在未来几年内不应期望 DDR5 以上的内存得到提升。
高带宽闪存有望满足下一代个人计算技术中新兴的人工智能推理需求，其在现实世界中的实际应用和有效性将令人关注。
全栈人工智能内存阵容
– 当前的内存解决方案优先考虑计算，但未来正在转向使内存的作用多样化，以提高计算资源利用率并解决人工智能推理瓶颈。
随着人工智能市场的发展趋势是提高效率和优化，HBM 向定制产品的演进将满足特定的客户需求，从而最大限度地提高 GPU 和 ASIC 的性能，同时降低数据传输功耗。
– “AI-D”DRAM 的研发体现了公司致力于提升兼容性和性能的决心。这包括：
- “AI-D O（优化）”——一种低功耗、高性能的DRAM，旨在降低总体拥有成本并提高运营效率。
- “AI-D B（突破）”——一种提供超高容量内存和灵活分配功能的解决方案。
- “AI-D E（扩展）”——将 DRAM 应用扩展到机器人、移动和工业自动化领域。
虽然这些创新还需要几年时间才能实现，但即将到来的进步有望彻底改变科技格局，让等待成为值得。
新闻来源：Harukaze5719
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