SK海力士正式宣布开始量产其突破性的321层QLC NAND闪存存储解决方案，该解决方案具有高达32层的卓越堆叠能力。
揭秘We Hynix 321层QLC NAND闪存：开启存储技术新时代
这一进展具有里程碑式的意义，因为它是全球首个采用QLC（四层单元）技术实现超过300层的闪存，为NAND闪存密度树立了前所未有的标杆。公司计划在获得全球客户成功验证后，于明年上半年推出这款创新产品。
“我们将作为全栈 AI 内存提供商实现重大飞跃，以顺应 AI 需求的爆炸式增长和数据中心市场的高性能要求。”
为了解决大容量 NAND 技术经常伴随的潜在性能问题，We hynix 通过将平面（芯片内的独立操作单元）的数量从 4 个增加到 6 个来增强其设计。这种修改不仅有利于更大规模的并行处理，而且还显著提高了同时读取能力。
与早期 QLC 迭代相比，321 层 QLC NAND 的改进使其容量更大，性能指标更卓越。值得注意的是，数据传输速度提升了两倍，写入性能提升高达 56%，读取性能提升 18%。此外，写入功率效率飙升超过 23%，这对于在以 AI 为中心的数据中心保持竞争力至关重要，因为节能至关重要。
最初，We hynix 计划将其 321 层 NAND 技术集成到 PC SSD 中，随后计划部署到数据中心的企业级 SSD (eSSD) 和智能手机的通用闪存 (UFS) 解决方案中。
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