SK海力士将采用一种名为垂直扇出（VFO）的创新技术，堆叠多达16层DRAM和NAND芯片，从而彻底革新数据处理速度。这项技术进步对于提升各种电子设备的性能至关重要。
VFO 提升数据传输效率
据 ETNews 报道，高带宽存储 (HBS) 的成功很大程度上取决于 VFO 封装技术。这项由微海力士于 2023 年推出的技术，采用直线连接方式而非传统的弧形引线键合，将 DRAM 和 NAND 芯片堆叠在一起。这种连接方式最大限度地减少了数据传输损耗，提高了数据传输效率，这在生成式人工智能 (AI) 日益普及的智能手机和平板电脑领域尤为重要。
VFO 的优势十分显著。通过大幅缩短布线距离并最大限度地减少信号传输损耗和延迟，VFO 可以实现更多的 I/O 连接。这些改进的结合显著提升了数据处理性能。HBS 旨在与集成到设备逻辑板上的智能手机芯片组无缝协作。虽然目前关于支持的系统级芯片 (SoC) 的详细信息仍然有限，但预计骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 将同时支持 LPDDR6 和 UFS 5.0 技术，使其成为 HBS 的理想之选。
高带宽存储对制造商的成本影响
与高带宽存储器 (HBM) 相比，HBS 最显著的优势之一是其更低的制造成本。HBM 需要硅通孔 (TSV) 技术，这意味着需要在芯片上进行物理穿孔，而 HBS 则无需此步骤。因此，HBS 能够提高生产良率并降低总体成本，这对于希望采用此存储解决方案的制造商来说极具吸引力。
相比之下，据报道，苹果计划在其即将推出的设备中使用HBM和TSV，旨在使iPhone本地具备更强大的AI功能。鉴于此，苹果已经开始研究HBS作为未来机型的潜在存储方案也就不足为奇了。
更多详情请参阅ETNews 的报道。
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