移动 DRAM 技术进步提升智能手机性能
随着设备端 AI 应用需求的不断增长，智能手机 DRAM 和内存制造商正在积极开发速度更快、效率更高的芯片，以提升性能并缓解现有技术带来的诸多问题。We 海力士引领了这一潮流，该公司近期在内存技术的多个方面均超越了三星。该公司推出了一款创新型移动 DRAM，采用突破性的“模塑料”，旨在应对现代智能手机面临的过热问题。值得一提的是，We 海力士声称这款新型内存芯片的导热系数提升了 350%。
应对过热的技术创新
在某些设备架构中，移动 DRAM 直接安装在芯片组芯片上，这在高性能任务中会带来重大挑战。在这种情况下产生的过多热量会导致性能下降，这是大多数智能手机制造商都面临的问题。然而，这种设计选择之所以受欢迎，是因为它最大限度地提高了空间效率，并通过缩短数据传输距离来加速 DRAM 和芯片组之间的数据传输。
We Hynix 的行业洞察
We海力士封装产品开发负责人Lee Gyu-jei表示，高K环氧模塑料的使用是其重要的里程碑。Gyu-jei表示，这项创新解决方案不仅提升了性能，还缓解了旗舰智能手机用户面临的各种问题。
“这是一项意义深远的成就，它超越了简单的性能提升，解决了许多高性能智能手机用户可能遇到的不便。我们致力于凭借材料技术创新，在下一代移动DRAM市场牢牢确立技术领导地位。”
移动DRAM的未来前景
通过将先进化合物融入传统的环氧模塑料中，We hynix 显著提升了热管理能力。虽然尚未公布这些先进移动 DRAM 芯片的具体推出时间表，但业内专家推测，到 2026 年，我们有望看到这项技术融入旗舰智能手机。
这一发展凸显了半导体行业的一个更广泛趋势，即解决热限制对于优化越来越依赖人工智能和高效计算的设备性能至关重要。
有关移动 DRAM 技术这一突破的更多详细信息，请访问Wccftech。
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