SK海力士雄心勃勃地计划推出1c DRAM技术，备受瞩目。这一创新方案将提升DDR5和HBM产品的性能标准，使SK海力士成为内存芯片市场的领跑者。
SK海力士利用EUV技术提升下一代DRAM产量和性能
这项战略举措预计将显著增强We海力士在消费级和HBM内存领域的产品线。更重要的是，它为下一代DRAM技术的进步铺平了道路，而下一代DRAM技术很可能将采用高数值孔径EUV（极紫外光刻）技术。
对于不熟悉极紫外光刻 (EUV) 的人来说，需要注意的是，这项技术涉及复杂的工艺。EUV 工作在精确驱动的 13.5 纳米波长下，旨在通过创建更精细的特征，同时最大限度地减少对多个图案化步骤的需求，从而解决复杂的电路挑战。
1c DRAM 的预期推出，特别是其与 HBM4 的集成，有望在不久的将来带来显著的性能提升。
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