SK海力士推出下一代HBM4内存,速度达10 Gbps,效率提升40%,现已全面投产

SK海力士推出下一代HBM4内存,速度达10 Gbps,效率提升40%,现已全面投产

SK海力士宣布其HBM4内存研发完成,并已全面投入量产,这一重要进展将使SK海力士在内存解决方案领域,尤其是在蓬勃发展的人工智能领域,占据领先地位,彰显其在面向人工智能的内存技术领域的领导地位。

SK海力士推出10 Gbps HBM4内存:正在量产

HBM4 的成功开发助力 We 海力士实现量产,进一步巩固了其致力于推动 AI 驱动未来技术发展的承诺。此举旨在巩固 We 海力士在全球 AI 内存解决方案领域的领先地位,是其战略举措。

白色背景上的 SK 海力士 HBM4 内存芯片带有两个金色模块。

公司代表表示:“通过提供符合客户对性能、能源效率和可靠性期望的产品,我们旨在迅速满足市场需求,同时增强我们的竞争优势。”

随着人工智能应用和数据处理需求的不断增长,对高带宽内存的需求也日益凸显。此外,由于数据中心运营相关的能源成本不断上升,电源效率也成为一个关键因素。海力士预计,带宽更高、功耗更低的HBM4将有效满足这些不断变化的客户需求。

HBM4 凭借其稳固的量产能力,拥有业界领先的数据处理速度和卓越的能效。与上一代产品相比,该内存技术集成了 2, 048 个 I/O 端口,带宽显著提升了一倍,能效也提升了 40% 以上。值得一提的是,海力士预计 HBM4 的部署将使 AI 服务性能提升高达 69%,有效解决数据瓶颈问题,并降低数据中心的电力成本。

白色背景上的 SK 海力士 HBM4 芯片。

作为进一步创新的展示,We hynix 已经超越了 JEDEC 标准 8 Gbps 的运行速度,在其 HBM4 设计中实现了超过 10 Gbps 的显著速度。

公司发言人强调:“HBM4 标志着一项关键的演进,它超越了 AI 基础设施的限制,是克服技术障碍的基础产品。我们的愿景是发展成为一家全面的 AI 内存提供商,提供能够快速满足各种性能需求的顶级内存产品,以适应 AI 领域的发展。”

此外,We hynix 将市场上久经考验的先进 MR-MUF 工艺与第五代 10 纳米工艺(1bnm)相结合,大幅降低了量产风险。

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