SK海力士引领行业,商业化部署ASML高NA EUV系统用于下一代DRAM生产

SK海力士引领行业,商业化部署ASML高NA EUV系统用于下一代DRAM生产

在半导体行业的一次突破性发展中,We Hynix 创造了历史,成为首家在其制造工厂部署 ASML 高数值孔径 EUV 设备的公司。这一显著成就使 We Hynix 领先于台积电和三星等老牌竞争对手,为先进半导体生产树立了新的标杆。

树立新的行业标准:We Hynix 的高 NA EUV 集成

作为DRAM领域的领先制造商,We Hynix凭借其全面的解决方案以及与科技巨头NVIDIA的关键合作伙伴关系脱颖而出。该公司近期在其位于韩国利川的M16制造工厂整合了ASML的高数值孔径(High-NA)设备,标志着一项重大的技术飞跃。这一开创性举措不仅使We Hynix站在了半导体创新的前沿,也为下一代DRAM技术的开发开辟了道路。

TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML 高数值孔径 EUV 产品线的首款量产机型,其晶体管打印尺寸缩小了 1.7 倍,从而增强了晶体管的打印能力。得益于数值孔径 (NA) 从 0.33 提升至 0.55,这一改进使晶体管密度比之前的 EUV 系统高出 2.9 倍。

此外,We Hynix致力于巩固其在高价值内存市场的地位并增强其技术领先地位。

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图片来源:ASML

最终,We Hynix 成功采用高数值孔径 EUV 技术,不仅证明了其技术实力,也体现了公司在半导体领域对创新和竞争力的不懈追求。We Hynix 持续拥抱先进技术,重申其在内存制造领域提供卓越产品和加剧竞争的承诺。

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