中国依赖过时的深紫外 (DUV) 技术，尤其是其最大的半导体制造商中芯国际所采用的技术，这使中国在与美国相比处于战略劣势，而美国则利用了 ASML 的尖端极紫外 (EUV) 技术。在持续的出口禁令背景下，中国获得先进芯片制造设备的渠道受到严重限制。因此，中国保持半导体领域竞争力的唯一可行途径是创新和开发国内芯片制造工具。
SiCarrier：国家支持国内半导体机械的先驱
最近的报告显示，与华为关系密切的 SiCarrier 公司正积极致力于开发独立的 EUV 解决方案，以减少对 ASML 等外国来源的依赖。中国政府大力支持这一举措，使 SiCarrier 能够加速其运营和技术。
据此前报道，利用激光诱导放电等离子体 (LDP) 技术的定制 EUV 机器原型预计将于 2025 年第三季度开始试生产。虽然目前尚不清楚这些原型是否与 SiCarrier 正在开发的原型相对应，但据报道，该公司专注于多种机器，旨在减少外国竞争对手的影响并增强中国在半导体制造方面的自给自足能力。
深圳市政府的支持进一步增强了 SiCarrier 的努力，这对促进公司的创新能力至关重要。目前的发展重点涵盖芯片制造的各个环节，以 ASML、Applied Materials 和 Lam Research 等行业巨头为标杆。此外，该公司还在推进光刻、化学气相沉积、测量、物理气相沉积、蚀刻和原子层沉积技术——这些领域通常由荷兰、美国和日本的公司主导。
尽管取得了这些进展，SiCarrier 首批原型的实施时间表仍未确定。目前，中芯国际仅实现了 5nm 制造工艺，这是其迄今为止最先进的光刻技术。然而，大规模量产尚未实现，主要是由于现有 DUV 设备的限制，该设备耗时长，会产生大量有缺陷的晶圆，从而增加总体成本。
在硅开利、华为和中国政府的共同努力下，人们谨慎乐观地认为，中国可能很快就能克服芯片制造技术的现有障碍。
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