据报道，三星正在重新设计其第六代 1c DRAM，旨在提高成品率并在即将推出的 HBM4 工艺中确立竞争优势。
改造 1c DRAM：三星 HBM4 成功的战略举措
这家韩国技术领导者目前正在评估其 1c DRAM 工艺设计，这对于 HBM4 工艺的预期成功至关重要。ZDNet Korea的最新见解显示，自 2024 年下半年以来，三星一直在重新构想其先进的 DRAM 技术。重新设计旨在促进其即将推出的内存解决方案更顺畅地融入市场，特别是考虑到 HBM3 衍生产品面临的采用挑战，该产品在 NVIDIA 等公司遇到了重大障碍。
重新设计工作源于对三星尖端 DRAM 工艺良率的担忧，该工艺未达到预期目标。据估计，良率徘徊在 60%-70% 左右，阻碍了该公司向大规模生产的过渡。主要挑战在于 1c DRAM 芯片的尺寸。尽管最初的目标是缩小芯片尺寸以提高产量，但三星的专注无意中影响了工艺稳定性，导致良率下降。
三星电子改变了1c DRAM的设计，增加了芯片尺寸，并致力于提高产量，目标是在今年年中。看来他们正致力于下一代内存的稳定量产，即使成本更高。
– ZDNet 韩国
三星 1c DRAM 工艺的效率是其即将推出的 HBM4 产品的质量和成功的关键。鉴于该公司在 HBM3 出现问题后声誉不佳，三星必须使其 1c DRAM 成果与既定的行业标准保持一致。
虽然三星第六代 DRAM 的最终成果仍存在不确定性，但预测表明未来几个月可能会出现进展。如果成功，这些进展将为三星 HBM4 在今年年底前投入量产铺平道路。
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