日本芯片制造商 Rapidus 将向博通提供 2 纳米样品,与台积电竞争

日本芯片制造商 Rapidus 将向博通提供 2 纳米样品,与台积电竞争

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Rapidus 计划于 6 月推出首批 2 纳米芯片样品

据日媒近日报道,日本半导体制造商Rapidus将于今年6月前向AI芯片设计公司博通提供首批2纳米芯片样品。目前,只有台湾的台积电和韩国的三星有能力生产2纳米芯片,而且都尚未开始量产。据日经新闻报道,Rapidus正在与美国IBM合作,推进其芯片开发工作。

芯片制造领域的竞争日趋激烈

台积电已宣布计划于今年晚些时候开始大规模生产 2 纳米芯片,预计最终产品将于 2026 年面世。这标志着其现有 3 纳米制造技术取得了重大进展。向 2 纳米技术的过渡带来了更小的特征尺寸以及创新的晶体管架构。

与 3 纳米芯片所采用的 FinFET 设计不同,台积电将在其即将推出的 2 纳米产品中集成一种新的纳米片晶体管设计。这一变化至关重要,因为纳米片增强了晶体管栅极和源极之间的连接面积,从而最大限度地减少了漏电。这种设计创新旨在提高整体功率效率和性能。

同样,三星打算在其即将推出的 2 纳米芯片中采用增强型晶体管设计。该公司计划利用与 IBM 合作开发的全栅极鳍式场效应晶体管 (GAAFET)。与台积电一样,三星准备在今年晚些时候推出其 2 纳米芯片,并在 2024 年第四季度安装新的制造设备后投入量产。

FinFET 对比 GAAFET 对比 MBCFET
三星代工厂的图表展示了晶体管设计从 FinFET 到 GAAFET 和 MBCFET 的演变。这家韩国公司的 3 纳米工艺将利用与 IBM 合作开发的 GAAFET 技术。图片:三星电子

Rapidus 填补市场空白的战略举措

由于芯片产量的提升仍是一个渐进的过程,台积电等公司会循序渐进地提高产量以满足其主要客户的需求。这通常会导致最新芯片技术的供需出现差异。Rapidus 似乎准备利用这一市场空白,最早在 4 月份就推出 2 纳米芯片的样品生产。

此外,Rapidus 计划于 6 月向博通发送其首批样品。这一目标与博通股价近期飙升不谋而合,在该公司披露其 AI 芯片战略后,该公司股价飙升了 38%。首席执行官 Hock Tan 制定了一个雄心勃勃的目标,即到 2027 年出货多达 100 万片 AI 芯片,并可能在 2027 财年创造 600 亿至 900 亿美元的收入。

Rapidus 的未来前景和支持

Rapidus 正在战略性地利用 AI 芯片市场的预期增长。虽然他们计划向博通提供 2 纳米芯片样品,但预计要到 2027 年才能全面投产。相反,像台积电这样的老牌大型晶圆厂受益于广泛的资源和专业知识,使他们能够无缝升级其技术能力并保持尖端芯片的稳定产量。

Rapidus 得到了包括丰田和索尼等知名企业在内的八家日本大型企业财团的支持,还致力于扩大其从 ASML 采购的先进极紫外 (EUV) 制造机器的库存,这些机器对于生产最新的半导体技术至关重要。为了支持这些努力,ASML 预计将在日本开设一个新的服务中心,以支持 Rapidus 的举措。

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