Rapidus 的 2nm“2HP”制造工艺在逻辑密度方面可与台积电的 N2 相媲美，并显著超越英特尔的 18A

日本的 Rapidus 公司凭借其创新的 2 纳米工艺在半导体行业中日益受到关注。最近，该公司公布了其尖端节点的逻辑密度数据，表明其与台积电著名的 N2 架构并驾齐驱。

半导体行业竞争对手：Rapidus 在 2nm 竞赛中挑战台积电

近几个月来，Rapidus 作为日本领先的半导体公司备受关注，并得到了 NVIDIA 等主要行业参与者的认可。该公司全新的 2nm 工艺（简称“2HP”）已被@Kurnalsalts重点报道，他指出其逻辑密度可与台积电的 N2 直接竞争，并显著超过英特尔的 18A 密度。

Raipidus 分享了 2nm（命名为 2HP）的数据，以便我们可以了解逻辑密度方面的下一代工艺技术pic.twitter.com/sHsjJB3mn8

— Kurnal (@Kurnalsalts) 2025年8月31日

最新发布的数据显示，Rapidus 2HP 实现了 237.31 MTr/mm² 的高逻辑密度，与台积电的 236.17 MTr/mm² 相媲美。用于实现这一高密度的单元库分析包括一个高密度 (HD) 库，其单元高度为 138 个单元，间距为 G45。这两个节点都以最佳逻辑密度为目标，这意味着它们在上市时很可能拥有相当的晶体管数量。

相比之下，英特尔的 18A 节点密度较低，仅为 184.21 MTr/mm²。这种差异主要源于使用 HD 库的基准测试方法。此外，英特尔仍然注重性能功耗比指标，这比单纯追求更高的密度更为重要。18A 节点主要面向内部操作。