三星在竞争激烈的芯片制造领域取得了重大进展，尤其是在 2nm 技术的进步，有望挑战台积电的长期主导地位。
三星2nm技术：台积电有力竞争对手
随着半导体行业的发展，台积电传统上在尖端技术领域占据领先地位，尤其是在2纳米制程方面。然而，最近的观察表明，三星已准备好加入竞争。据韩国媒体《朝鲜商业》报道，三星的2纳米节点并非仅仅是一个理论概念，而是已准备好投入实际应用，NVIDIA和高通等科技巨头已接近其实施的评估阶段。
芯片制造业的现状凸显了对更多能够生产下一代半导体的参与者的迫切需求。台积电的产能日益紧张，导致苹果、英伟达和高通等大公司寻求其他合作伙伴。这些公司深知双源战略的重要性，因此将三星视为满足其芯片供应需求的可行选择。此前，三星的3纳米GAA（全环绕栅极）技术遭遇挫折，未能达到与市场需求相符的良率，但凭借其最新的2纳米产品，三星似乎已蓄势待发，有望取得成功。
目前，三星2纳米芯片的良率约为40%，预计随着公司工艺的改进，良率将继续提升。这一积极趋势主要归功于其GAA技术的进步，该技术能够提高2纳米和3纳米节点的良率。相比之下，据报道台积电的良率约为60%，这表明三星正在有效地缩小在这场技术竞赛中的差距。
此外，三星已宣布计划在美国建立2纳米生产能力，其位于泰勒的工厂已准备好迎接这一新项目。这一战略举措有望巩固公司在半导体市场的立足点，并彰显其满足客户需求的承诺。随着三星继续开发其2纳米技术，鉴于其对市场动态的潜在影响，其结果将受到行业利益相关者的密切关注。
相关文章:
NVIDIA 发布 RTX 5060 系列 GPU 更新固件，以解决黑屏问题
9:56
美光推出 T710 Gen5 SSD：14.9 GB/s 高速消费级存储，采用 Silicon Motion SM2508 控制器和紧凑型散热器设计
9:28
Patriot 庆祝成立 40 周年，推出“Xtreme S”内存金色装饰、Xtreme 5 CKD DDR5 速度高达 9600 MT/s，以及 Viper PV563 DRAM-Less Gen5 SSD，速度超过 14 GB/s
7:54
发表回复 ▼