澜起科技推出第二代 MRCD 和 MDB 芯片组，提升 DDR5 MRDIMM 内存模块性能

总部位于中国的著名半导体设计公司澜起科技最近宣布，其第二代 MRCD 和 MDB 芯片组已成功完成首批样品。这一重大进展必将推动内存技术领域的创新。

利用 Montage 的最新内存创新技术提高性能

新闻稿：在 DDR5 多路复用级 DIMM (MRDIMM) 技术的关键开发中，澜起科技已成功向全球领先的内存制造商提供其第二代多路复用级寄存时钟驱动器 (MRCD) 和多路复用级数据缓冲器 (MDB) 芯片组的样品。这些尖端芯片组可实现高达 12800 MT/s 的数据速率，为下一代计算架构提供量身定制的卓越内存性能。

此次发布正值关键时刻，因为数据中心对内存带宽的需求不断增长，主要由人工智能和大数据分析的进步推动。MRDIMM 技术对于满足这些需求至关重要，尤其是随着服务器处理器核心数量的不断增加。

MRCD 和 MDB 芯片组对于 MRDIMM 模块的运行至关重要，它们采用独特的“1+10”缓冲架构。每个 MRDIMM 模块由一个 MRCD 芯片和十个 MDB 芯片组成。在这种配置中，MRCD 负责缓冲和重新驱动地址、命令、时钟和控制信号，而 MDB 芯片则促进内存控制器和 DRAM 组件之间的数据传输。

这种先进的架构，通过双倍数据速率技术和时分复用技术得到增强，允许以标准速率同时操作两个内存列，从而有效地使整体数据吞吐量翻倍。

此前，澜起科技的第一代 MRCD 和 MDB 芯片组支持高达 8800 MT/s 的数据速率，已引起主要内存制造商的极大兴趣和批量购买。新设计的第二代芯片不仅提高了性能标准，而且达到了 12800 MT/s，比其前代产品提高了 45%。此外，澜起科技还涵盖了广泛的内存接口和模块支持解决方案，其中包括 RCD、DB、CKD、SPD Hub、PMIC 和 TS。

展望未来，澜起科技计划于 2024 年第四季度开始提供 Gen5 DDR5 RCD (RCD05) 芯片样品，以扩大其全面且行业领先的产品组合。这些创新产品可为客户提供一站式采购，同时确保跨系统的最佳集成和性能。

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