美光推出 12 高 HBM3E 和 LPDDR5X SOCAMM,用于增强 NVIDIA 高性能芯片

美光推出 12 高 HBM3E 和 LPDDR5X SOCAMM,用于增强 NVIDIA 高性能芯片

美光科技再次走在内存创新的前沿,与 NVIDIA 合作提供专为高性能计算量身定制的先进内存解决方案。值得注意的是,这些产品将增强 HGX B300 NVL16 和 GB300 NVL72 等芯片,标志着内存技术的重大进步。

美光尖端内存解决方案:推出 12H HBM3E 和 SOCAMM 内存,助力提升 AI 性能

关键发布包括美光的 LPDDR5X SOCAMM(小型压缩附加内存模块),专为 NVIDIA 的 GB300 Grace Blackwell Ultra 超级芯片设计。除此之外,美光的 12H HBM3E 36 GB 内存芯片将为 NVIDIA 的 HGX B300 NVL16 和 GB300 NVL72 平台提供动力,显著提高其效率。

美光 HBM3E 12H 36GB
图片来源:micron.com

NVIDIA 在最近的 GTC 活动上展示了这些新推出的 Blackwell 芯片,它们利用了美光强大的 8-High 24 GB HBM3E 芯片,用于其 HGX B200 和 GB200 NVL72 型号。新的 12-High HBM3E 内存配置垂直堆叠了 12 个 DRAM 芯片,与 8-High 相比,它能够提供令人印象深刻的 12 GB 的内存容量。这些增强功能对于内存密集型 AI 操作至关重要,使 GPU 能够在内存增加 50% 的情况下处理大量工作负载,最终允许在单个 GPU 上处理整个 AI 模型(如 Meta 的 Llama 405B)。

此外,12H HBM3E 内存不仅带来了额外的容量,还提高了带宽,同时功耗降低了 20%。这种效率对于数据中心运营尤其有益,因为性能和节能都至关重要。

美光 SOCAMM
图片来源:micron.com

基于 LPDDR5X 的 SOCAMM 是高性能计算 (HPC) 的绝佳选择。其尺寸仅为 14×90 毫米,占用空间仅为传统 RDIMM 所需空间的三分之一,并且可以通过 16 个 LPDDR5X 内存芯片堆栈支持每个模块高达 128 GB。其设计不仅优化了空间,而且还提供了超过 2.5 倍的带宽,同时表现出比标准 RDIMM 更高的功率效率。

目前,美光拥有强大的产品组合,包括用于 NVIDIA Blackwell RTX 50 系列 GPU 的 GDDR7 内存、高容量 DDR5 RDIMM 和 MRDIMM,以及 HBM3E 和 SOCAMM 技术。此外,美光的尖端存储解决方案(如美光 9550 NVMe 和 7450 NVMe SSD)进一步巩固了其在内存和存储技术领域的领先地位。与此同时,竞争对手包括三星最近推出的旗舰产品 9100 PRO SSD,它采用 PCI-E 5.0 标准,实现了高达 14, 800 MB/s 的惊人连续读取速度。

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