美光推出首个 1γ DRAM 节点，旨在提升 DDR5 性能

美光科技推出基于 10nm 级 DRAM 节点的突破性第六代 DDR5 内存，成为头条新闻。这一发展使美光科技处于工业和消费市场的前沿。

通过美光第六代 DRAM 提高效率和性能

新闻稿：美光科技公司在一份激动人心的公告中透露，它已成为业内第一家开始出货其 1γ（1-gamma）第六代 DDR5 内存样品的公司。这款新一代 DRAM 专为高级 CPU 量身定制，将首先分发给特定客户和生态系统合作伙伴。在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）节点的先前进展的基础上，美光将为下一波计算赋能，从云基础设施到工业应用，以及智能手机和智能汽车等消费设备和边缘 AI 技术。

美光 1γ DRAM 节点的初始部署将利用 16Gb DDR5 DRAM，逐步将其集成到美光的整个内存产品组合中。这一战略举措满足了业界对高性能、节能内存解决方案日益增长的需求，特别是在人工智能应用中。这款 16Gb DDR5 产品拥有高达 9200MT/s 的惊人速度能力，与上一代产品相比，速度显著提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

美光 1γ DRAM 节点为何如此重要

随着数据中心和网络边缘 AI 的兴起，对先进内存解决方案的需求也随之激增。美光向 1γ DRAM 节点的转变解决了客户面临的几个关键挑战：

增强的性能：基于 Micron 1γ 的 DRAM 增强了性能，使各种内存产品具有更高的计算能力，这对于未来的 AI 工作负载至关重要。
节省电力：得益于下一代高 K 金属栅极 CMOS 技术和设计增强，1γ 节点的功耗降低了 20% 以上，从而改善了热管理。
提高位密度：利用 EUV 光刻技术和创新设计改进，1γ 节点与上一代相比，每晶圆的位数输出提高了 30% 以上，有助于高效扩展内存供应。

美光利用其在多代 DRAM 技术方面的丰富专业知识开发了优化的 1γ 节点。这项创新依赖于 CMOS 突破，利用了下一代高 K 金属栅极技术。这些进步提高了晶体管性能，提高了速度能力，并实现了显着的节能和扩展增强。

通过整合尖端 EUV 光刻技术以及高纵横比蚀刻技术和创新设计，1γ 节点可提供无与伦比的位密度优势。在全球多个制造基地开发 1γ 节点进一步巩固了美光对技术进步和供应链弹性的承诺。

从云到边缘的转型产品

1γ节点将作为基础技术，增强美光的整个内存产品组合，影响各个领域：

数据中心：基于 1γ 的数据中心 DDR5 内存解决方案有望将性能提高高达 15%，同时提高能源效率，从而能够持续扩展服务器性能，以优化未来机架部署中的功率和热设计。
边缘 AI： 1γ 低功耗 DRAM 解决方案不仅可以增强节能效果，还可以提供更大的带宽，丰富边缘 AI 应用中的用户体验。
- AI PC： 1γ DDR5 SODIMM 在提高性能的同时降低 20% 的功耗，有效延长电池寿命并提升笔记本电脑的用户体验。
- 移动设备：随着 1γ LPDDR5X 的推出，美光继续引领移动技术领域，实现卓越的边缘 AI 应用。
- 汽车： 1γ LPDDR5X 内存增强了容量、耐用性和性能，实现高达 9600MT/s 的速度。

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