美光下一代 HBM4 和 HBM4E 生产时间表
美光科技最近分享了其即将推出的高带宽存储器 (HBM) 工艺（特别是 HBM4 和 HBM4E）的重要进展，表明预计将于 2026 年开始大规模生产。
HBM4 技术的前景
HBM4 标准有望改变内存市场格局，被誉为 HBM 技术的“圣杯”。这一创新解决方案旨在提供卓越的性能和能效，为增强人工智能 (AI) 计算能力奠定基础。
凭借强大的基础和对成熟的 1β 工艺技术的持续投资，我们预计美光的 HBM4 将保持上市时间和能效领先地位，同时性能比 HBM3E 提高 50% 以上。我们预计 HBM4 将在 2026 年实现行业大批量生产。
HBM4E 的开发工作正在与多家客户一起顺利进行，HBM4E 将紧随 HBM4 的步伐。HBM4E 将为内存业务带来一次范式转变，它整合了使用台积电先进的逻辑代工制造工艺为特定客户定制逻辑基片的选项。我们预计这种定制功能将推动美光的财务业绩改善。
– 美光
创新包装方法
HBM4 的一大突出特点是预期将内存和逻辑半导体集成在一个封装中。这一创新可以消除对传统封装技术的需求，而单个芯片之间的接近度有望显著提高性能效率。
规格和市场准备情况
美光 HBM4 技术的具体规格尚未完全披露；不过，初步报告显示，它可能包括堆叠多达 16 个 DRAM 芯片的能力，每个芯片提供 32 GB 的容量，并具有 2048 位宽的接口。这种架构标志着其前代产品有了重大进步。
采用情况及未来展望
至于市场采用，HBM4 预计将在 NVIDIA 的 Rubin AI 架构和 AMD 的 Instinct MI400 系列中发挥关键作用。鉴于对 HBM 技术的需求激增，美光报告称其生产能力将在 2025 年达到最佳水平，这对该公司和整个行业来说都是一个光明的未来。
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