最近的报告表明，英特尔的 18A 工艺已经实现了与台积电 N2 技术相当的 SRAM 密度水平，这是彰显英特尔先进半导体能力的重要里程碑。
英特尔 18A 工艺和 BSPDN 等创新的意义
随着英特尔芯片架构的不断发展，人们对该公司的未来越来越乐观。国际固态电路会议 (ISSCC) 上最近的讨论表明，英特尔和台积电在 SRAM 密度方面势均力敌，并且取得了显着进步，可能会重塑半导体制造的竞争格局。
星期六在@ieee_isscc第 29 次会议上：SRAM
第一篇论文：$TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM第二篇论文：$INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM第三篇论文：@Mediatek 3nm TCAM第四篇论文：@Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM
这是一场大逃杀。
— 𝐷𝑟。 𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) 2025 年 2 月 19 日
随着我们深入研究 18A 工艺带来的可能性，必须强调其一项突破性创新：背面供电网络 (BSPDN)。这项开创性技术将供电从晶圆正面转移到背面，从而提高了电源效率并改善了信号完整性——这两者都是现代半导体性能的关键因素。
据报道，英特尔 18A 的高密度版本在大型阵列配置中实现了令人印象深刻的 38.1 Mb/mm² 宏位密度。虽然 SRAM 单元排列的变化可能会影响密度结果，但 18A 工艺的前景似乎非常乐观。然而，监测实际芯片生产性能（尤其是成品率）对于充分评估这项新技术的有效性至关重要。
与此同时，台积电在 N2 工艺方面也取得了长足进步，得益于向全栅环绕 (GAA) 技术的过渡，SRAM 密度提升了 12%。高性能 SRAM 的增强功能使密度显著提升了 18%。这一改进的关键在于从传统的 FinFET 转向 N2“纳米片”结构，从而允许在制造过程中实现更高的定制化和精确度。
台积电与英特尔的竞争愈演愈烈，半导体创新环境将更加激烈，但最终考验还是在于其与供应链的整合程度以及实际的市场表现。
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