最近的报告显示，三星将推出 Galaxy S25 系列的四个版本，而不是预期的三个。其中将有一款名为“Slim”的全新机型。最近的基准测试泄露表明，Galaxy S25 Slim 的初步证据已经浮出水面，表明它将采用高通先进的骁龙 8 Elite 芯片组。值得注意的是，即使采用纤薄设计，骁龙 8 Elite 也将拥有运行频率略高的性能核心。然而，基准测试的初步得分揭示了新旗舰产品的一个令人不安的性能方面。
Geekbench 6 结果表明 Galaxy S25 Slim 的性能好坏参半
Galaxy S25 Slim 的型号为 SM-S937U，将配备 12GB 内存，与之前泄露的 Galaxy S25 标准型号一样。Snapdragon 8 Elite 包括两个运行频率为 4.47GHz 的性能核心，而效率核心将以 3.53GHz 运行。值得注意的是，Galaxy S25 Slim 的内部规格与该系列的其他产品非常接近，但 Galaxy S25 Ultra 除外，它可能提供高达 16GB 的内存。
然而，原始规格并不是设备性能的唯一指标。在最新的 Geekbench 6 评估中，Galaxy S25 Slim 在单核得分方面表现出色，但在多核性能方面却表现不佳。它的单核得分为 3,005，比 Galaxy S25 之前的成绩略有提高，但仍接近误差范围。相比之下，多核得分明显较低，为 6,945，这引发了人们对此类结果含义的质疑。超薄机身可能是造成这种性能不佳的原因，因为它可能导致 Snapdragon 8 Elite 在密集任务下快速升温并节流。
必须认识到，Geekbench 6 主要测试的是短时间的性能爆发，而不是持续的性能。我们的初步评估可能会忽略影响 Galaxy S25 Slim 性能的其他因素，尤其是其纤薄的外形。随着三星准备于 1 月 22 日正式发布这一新系列，消费者和爱好者都渴望看到这四款机型的全面性能评估。随着发布日期的临近，请继续关注进一步的更新。
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