深紫外 (DUV) 技术的进步极大地影响了中国领先的半导体制造商中芯国际的发展轨迹。尽管有报道称中芯国际成功生产了 5nm 晶圆，但该公司仍面临生产成本过高和良率不令人满意等挑战。这些障碍也对华为产生了不利影响，阻碍了其突破 7nm 生产障碍的努力。
雪上加霜的是，美国贸易制裁限制了 ASML 向任何中国企业供应尖端的极紫外 (EUV) 光刻机。因此，中国工程师不得不依赖国内解决方案，最近的文件显示，这项内部技术的试生产计划于 2025 年第三季度开始。
据报道，创新的 EUV 设备采用激光诱导放电等离子体 (LDP)，与 ASML 的激光产生等离子体 (LPP) 有显著区别。以下部分将探讨这种技术变化的含义。
2026 年可能推出国产 EUV 机器：中国半导体行业的游戏规则改变者
中国本土 EUV 机器预计将实现量产，这有望减少中国对受美国影响的外国公司的依赖，并可能使中国在半导体市场上获得竞争优势。@zephyr_z9和@Ma_WuKong等账户在社交媒体上发布的图片展示了华为东莞工厂正在测试的新系统。此前的一份报告显示，哈尔滨省创新中心的一个研究团队开发了一种放电等离子体极紫外光刻光源，能够产生波长为 13.5nm 的 EUV 光，专为光刻领域量身定制。
该试验系统目前在华为工厂运行，采用 LDP 产生 13.5nm EUV 辐射。这种先进的方法包括在电极之间蒸发锡，通过高压放电将其转化为等离子体，并促进电子离子碰撞产生所需波长。这种方法与 ASML 的 LPP 技术有何不同？
ASML 的先进机器采用高能激光和复杂的控制系统，并使用现场可编程门阵列 (FPGA)。初步报告显示，华为正在测试的原型具有更精简的设计，功耗更低，从而降低了制造成本。到目前为止，中芯国际和其他中国公司不得不严重依赖过时的 DUV 系统。
传统光刻工具采用 248nm 和 193nm 波长，远不如 13.5nm EUV 技术先进。这一限制迫使中芯国际采用多种图案化技术来实现先进节点，这大大增加了晶圆生产成本并延长了生产时间，这些因素可能导致高昂的费用。有报道估计，中芯国际 5nm 芯片的生产成本可能比台积电同等芯片高出 50%，这也解释了为什么这项先进技术尚未得到更广泛的应用。
目前，华为的努力仅限于其麒麟芯片组的 7nm 工艺，这迫使该公司只能进行渐进式改进。随着其内部 EUV 机器的开发，华为有可能缩小与高通和苹果等竞争对手的差距。然而，必须注意的是，行业趋势表明，类似的公司经常会遇到重大障碍，这可能会阻碍进展。人们希望华为和整个中国都能克服这些挑战，成为全球半导体领域的强大参与者。
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